WMSIC Электронные компоненты

BORN BC856B

МодельBC856B
КорпусSOT-23
БрендBORN
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
BORN BC856B
Тип
BORN
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
BORN
Модель
BC856B
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Количество
1 PNP
Категория
Транзистор (BJT)
Вес
0.035g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0228561632
Рабочая температура
55℃~+150℃
Тип транзистора
PNP
Граничная частота (fT)
100MHz
Рассеиваемая мощность (Pd)
200mW
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

BC856B Обзор продукта (BORN)
I. Введение
BC856B — это PNP-биполярный транзистор малой мощности с высоким коэффициентом усиления по постоянному току, в малом корпусе SOT-23, подходящий для реализации функций переключения и аналогового усиления в схемах поверхностного монтажа с ограниченным пространством. Устройство оптимизировано для маломощных применений от низких до средне-высоких частот (граничная частота fT = 100 МГц), обладает низким обратным током коллектора и высоким коэффициентом усиления по постоянному току, подходит для портативных устройств, сенсорных входных каскадов и схем общей обработки сигналов.
Краткое изложение основных электрических параметров (типичные/предельные значения):
Тип транзистора: PNP
Ток коллектора Ic: 100 мА (макс.)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 65 В (макс.)
Рассеиваемая мощность Pd: 200 мВт (предел корпуса)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 200 при Ic=2 мА, VCE=5 В (типично)
Граничная частота fT: 100 МГц (типично)
Обратный ток коллектора Icbo: 100 нА (типичный/максимальный уровень)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 500 мВ (типичный/максимальный уровень)
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 В (макс.)
Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C
Корпус: SOT-23
Бренд: BORN
II. Основные характеристики и преимущества
Высокий коэффициент усиления: в низкоточной рабочей точке (Ic=2 мА) hFE≈200, что позволяет получить хороший коэффициент усиления и линейность в сценариях усиления малых сигналов.
Низкий ток утечки: Icbo≈100 нА, способствует проектированию с низкой утечкой для высокоомных входов или в спящем режиме, снижая статическое энергопотребление.
Средне-высокое напряжение: Vceo=65 В, позволяет использовать в системах со средним напряжением, расширяя области применения.
Средне-высокочастотные характеристики: fT≈100 МГц, подходит для обработки сигналов от звуковых до радиочастотных входных каскадов (при разумном смещении и нагрузке).
Малый корпус: SOT-23 удобен для поверхностного монтажа и автоматизированного массового производства, подходит для плат с ограниченным пространством.
Широкий температурный диапазон: рабочая температура охватывает промышленный и более широкий диапазон, подходит для различных условий окружающей среды.
III. Типовые применения
Усилители малых сигналов: звуковые входные каскады, усиление сигналов датчиков, низкоточные усилители.
Переключающие схемы: для маломощных переключателей логического уровня, схем сброса, управления управляющими сигналами.
Токовые зеркала и источники смещения: использование высокого hFE для стабильного смещения и зеркалирования тока в аналоговых схемах.
Сдвиг уровня: PNP-прибор может использоваться в качестве элемента подтяжки/сдвига уровня в биполярном преобразовании уровней.
Общая электроника: портативные устройства, измерительные приборы, маломощные подцепи автомобильной электроники (необходимо учитывать рабочее напряжение и условия мощности).
IV. Меры предосторожности при использовании и проектировании
Ограничение мощности: устройство Pd=200 мВт (корпус SOT-23); в реальной схеме следует рассчитать максимальную температуру перехода и оставить запас безопасности. При высокой температуре окружающей среды или ограниченном теплоотводе необходимо снизить рабочий ток/напряжение во избежание перегрева.
Ограничение обратного напряжения база-эмиттер: Vebo=5 В, обратное напряжение базы относительно эмиттера не должно превышать это значение, иначе возможно повреждение структуры перехода; в проекте избегать подачи на базу обратного напряжения выше этого предела.
Напряжение насыщения и потери переключения: VCE(sat) ≈ 500 мВ, при использовании в качестве переключающего элемента существуют потери проводимости; необходимо оценить тепловыделение и эффективность при высокочастотном переключении или большом токе.
Утечка и температурный дрейф: хотя Icbo мал, при высокой температуре ток утечки возрастает; следует проверять влияние статического тока на смещение системы в условиях высокой температуры.
Высокочастотные характеристики: fT=100 МГц не означает возможность линейного усиления на этой частоте; фактическая доступная полоса зависит от точки смещения и нагрузки, следует оценивать усиление и полосу с помощью моделирования или измерений.
V. Корпус и инженерная практика
Корпус SOT-23 подходит для автоматического монтажа и пайки оплавлением. Рекомендуется предусмотреть в компоновке печатной платы соответствующий путь теплопередачи для устройства, особенно при непрерывной работе или повышенной температуре окружающей среды, можно снизить температуру перехода, разместив рядом медную зону заземления/теплоотвода.
Расположение и функции выводов должны соответствовать официальному чертежу корпуса и определению выводов, предоставленным BORN; на этапе прототипирования следует сверять выводы и проектировать контактные площадки по оригинальному техническому описанию.
VI. Информация о закупке и обозначение модели
Модель: BC856B
Бренд: BORN
Распространенные каналы покупки: дистрибьюторы электронных компонентов и авторизованные агенты (запрашивайте у поставщика актуальное техническое описание и подтверждение оригинальности у производителя).
При выборе и замене убедитесь, что ключевые параметры (макс. Ic, Vceo, Pd, Vebo, рабочая температура и т.д.) соответствуют требованиям системы, чтобы избежать проблем с надежностью из-за различий в корпусе, теплоотводе или предельных параметрах.
Для получения более подробных кривых электрических характеристик, частотной характеристики, кривых hFE в типовых рабочих точках или размеров корпуса и схемы выводов уточните, нужно ли помочь связаться/найти официальное техническое описание или выполнить пример проектирования типовой схемы.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.