BORN 2SC2712

2SC2712 Обзор продукта
I. Введение в продукт
2SC2712 — маломощный NPN биполярный транзистор, выпускаемый BORN, в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Прибор предназначен для усиления малых сигналов и применений в низкопотребляющих переключателях, обладает высокой полосой пропускания и стабильным коэффициентом усиления по постоянному току, подходит для входных усилительных и драйверных цепей портативных и потребительских электронных устройств.
II. Основные электрические характеристики
Тип транзистора: NPN (малосигнальный)
Ток коллектора Ic: макс. 150 мА
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 50 В
Рассеиваемая мощность Pd: 150 мВт (корпус SOT-23, учитывать ограничения по теплоотводу)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: типовое значение 70 (зависит от рабочего тока и температуры)
Граничная частота fT: около 80 МГц, подходит для усиления малых сигналов в средне- и высокочастотном диапазоне
Обратный ток коллектора Icbo: типовое значение 100 нА (низкая утечка)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 250 мВ (при типовых условиях управления)
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 В
Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C
III. Корпус и тепловые характеристики
2SC2712 выпускается в малом 3-выводном корпусе SOT-23, что удобно для высокоскоростного монтажа и плотной компоновки. Из-за ограниченного объёма корпуса номинальная рассеиваемая мощность составляет 150 мВт; в реальной схеме следует учитывать температуру окружающей среды и условия теплоотвода медной фольги для снижения номинальных параметров и избегать длительной работы при высокой мощности во избежание влияния нагрева на надёжность.
IV. Типовые области применения
Схемы усиления малых сигналов (предварительные усилители, аудиовходы)
Низковольтные переключатели и драйверы (малые нагрузки реле, управление светодиодными индикаторами)
Высокочастотные/среднечастотные усилители (малопотребляющие каскады мобильных устройств, входные каскады беспроводных приёмников)
Преобразование уровня тока и буферизация в аналоговых схемах
V. Рекомендации по применению и меры предосторожности
При работе вблизи максимальных Ic или Pd следует оценить путь отвода тепла от корпуса и размеры медной фольги на печатной плате; при необходимости увеличить медный теплоотводящий слой или перейти на более крупный корпус.
Vebo составляет 5 В; превышение этого значения прямым или обратным напряжением на базе может повредить прибор. Используйте токоограничивающий резистор в цепи базы для защиты эмиттерного перехода.
Для высокоскоростных усилительных применений учитывайте влияние паразитных параметров топологии и проводников, ёмкостной связи на fT; по возможности сокращайте входные и выходные проводники и обеспечивайте хорошее заземление.
В схемах с требованиями к низкой утечке низкий Icbo прибора (~100 нА) способствует снижению статического потребления, но при повышенной температуре необходимо повторно проверять изменение утечки.
VI. Заключение
2SC2712 — NPN малосигнальный транзистор, подходящий для разнообразных маломощных малогабаритных электронных изделий, сочетающий среднюю токовую способность и повышенную полосу пропускания; корпус SOT-23 удобен для поверхностного монтажа и конструкций с ограниченным пространством. При проектировании следует уделять внимание теплоотводу корпуса и защите базы, чтобы обеспечить долговременную надёжную работу прибора в пределах номинальных режимов. При необходимости массовой закупки, подробной схемы выводов корпуса и полных кривых электрических характеристик обратитесь к поставщику за техническим описанием прибора.