WMSIC Электронные компоненты

CJ CJAC100SN08U

МодельCJAC100SN08U
КорпусPDFNWB5x6-8L-B
БрендCJ
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
CJ CJAC100SN08U
Тип
CJ
Минимальная упаковка
5000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
CJ
Модель
CJAC100SN08U
Шаг
1
Корпус
PDFNWB5x6-8L-B
Количество
1 N-канальный
Тип
N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.195g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0227330803
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
104W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
5000
Напряжение сток-исток (Vdss)
80V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

CJAC100SN08U Обзор продукта
CJAC100SN08U — высокопроизводительный 80-В N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для средне- и высоковольтных коммутационных и преобразовательных применений. Прибор имеет чрезвычайно низкое сопротивление во включённом состоянии при VGS=10 В, а также высокий допустимый непрерывный ток стока и умеренные характеристики ёмкости переключения, что делает его подходящим для применений, требующих низких потерь проводимости и высокого токового канала.
I. Ключевые характеристики
Напряжение сток-исток Vdss: 80 В
Сопротивление во включённом состоянии RDS(on): 3,9 мОм @ VGS=10 В
Непрерывный ток стока Id: 100 А (предел прибора, ограничен корпусом и теплоотводом PCB)
Общая рассеиваемая мощность Pd: 104 Вт (типовое значение при комнатной температуре)
Заряд затвора Qg: 60 нКл @ VGS=10 В (необходимо учитывать мощность управления затвором)
Входная/выходная/обратная передаточная ёмкость: Ciss=3,78 нФ, Coss=1,8 нФ, Crss=25 пФ
Пороговое напряжение Vgs(th): 4 В @ ID=250 мкА
Диапазон рабочих температур: -55 °C до +150 °C
Тип прибора: N-канальный MOSFET, корпус: PDFNWB5x6-8L-B
Бренд: CJ (Jiangsu Changjing Electronics)
II. Ключевые электрические и тепловые параметры
При управлении VGS=10 В достигается минимальное RDS(on); рекомендуется целевое напряжение управления затвором 10 В; Vgs(th)=4 В указывает, что прибор не является строго «низковольтным логическим уровнем», и при управлении 5 В или ниже характеристики проводимости ограничены.
Qg=60 нКл указывает на то, что при высокочастотном переключении потерями на управление затвором нельзя пренебрегать; драйвер должен обладать достаточной мгновенной токовой способностью или использовать разумную стратегию управления (управление ёмкостью драйвера, ограничивающий резистор затвора и т. д.).
Coss и Crss определяют преобразование энергии и напряжение в переходном процессе переключения; подходящие схемы поглощения энергии и буферизации (например, RC-снаббер, TVS) могут повысить надёжность системы.
Pd=104 Вт — номинальная рассеиваемая мощность прибора в идеальных условиях теплоотвода; в реальном применении необходимо пересчитать допустимый ток и превышение температуры с учётом медных слоёв PCB, теплопроводящих отверстий и температуры окружающей среды.
III. Типовые области применения
Синхронное выпрямление и выходной каскад понижающего DC-DC (требуется низкое RDS(on) для снижения потерь проводимости)
Коммутационные приборы серверных, телекоммуникационных и промышленных источников питания
Низкосторонний или высокосторонний ключ инвертора электропривода (с подходящим драйвером)
Бортовые вспомогательные источники питания и силовые ключи высоковольтной стороны 48 В/автомобильной электроники (напряжение 80 В обеспечивает запас)
IV. Рекомендации по корпусу и теплоотводу
Корпус PDFNWB5x6-8L-B имеет хороший плоский путь отвода тепла; рекомендуется проектировать на PCB большую площадь медной фольги и использовать несколько теплопроводящих отверстий для улучшения теплового сопротивления.
Конструкция контактных площадок должна соответствовать рекомендациям производителя по применению корпуса, обеспечивая хорошую пайку и контакт, избегая локального накопления тепла.
В высокотоковых применениях рекомендуется проводить тепловое моделирование и подтверждать допустимый ток при фактических испытаниях на превышение температуры.
V. Примечания по использованию и рекомендации по выбору
Из-за относительно высокого Vgs(th) следует избегать длительной работы при низковольтном управлении затвором; при использовании драйверной микросхемы необходимо оценить её пиковый ток управления и длительные потери.
При высокочастотном переключении следует учитывать энергию управления затвором (Qg) и потери переключения, вызванные Coss; при необходимости использовать мягкое переключение или буферные цепи для снижения коммутационного напряжения.
Для защиты от выбросов и перенапряжений рекомендуется добавлять соответствующие RC, TVS или поглощающие цепи для защиты прибора от переходных воздействий.
При выборе следует комплексно оценивать мощность системы, ресурсы теплоотвода и рабочую частоту; при необходимости обращаться к техническому описанию и документации по корпусу CJ для получения полных данных электрических и тепловых моделей.
Для получения более подробных графиков электрических характеристик, типовых осциллограмм или рекомендаций по контактным площадкам корпуса предоставьте техническое описание или уточните, требуется ли вывод справочной схемы и схемы размещения на PCB.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.