cjiang FNR5020S470MT

FNR5020S470MT Обзор силового индуктора
I. Введение
FNR5020S470MT — магнитногелевый экранированный SMD-силовой индуктор, выпущенный cjiang, размер корпуса около 5×5 мм, индуктивность 47 мкГн, допуск ±20%. Компонент представляет собой SMD-индуктор для силовой фильтрации и накопления энергии, предназначен для применений с малым и средним током, с определёнными требованиями к размеру и утечке магнитного поля.
II. Основные параметры
Индуктивность: 47 мкГн ±20%
Номинальный ток (Irms): 840 мА
Ток насыщения (Isat): 840 мА (до снижения заданной плотности магнитного потока)
Сопротивление постоянному току (DCR): ≈680 мОм
Тип: магнитногелевый экранированный индуктор (экранированная конструкция)
Корпус: SMD, размер около 5×5 мм
Бренд: cjiang
Модель: FNR5020S470MT
III. Конструкция и материалы
Индуктор использует магнитногелевую (магнитный порошок или композитный ферритовый клей) обмотку и экранированную конструкцию, обеспечивая замкнутость магнитного потока для снижения утечки и за счёт разумного выбора обмотки и сердечника достигая большой индуктивности в ограниченном размере. Корпус SMD удобен для автоматического монтажа и оплавления.
IV. Основные характеристики и преимущества
Миниатюризация: корпус 5×5 мм занимает мало места при бортовой силовой фильтрации, подходит для высокоплотной компоновки.
Хорошее экранирование: магнитногелевая экранированная конструкция эффективно подавляет утечку магнитного поля, мало влияет на соседние компоненты.
Стабильные электрические характеристики: индуктивность 47 мкГн в сочетании с номинальным и током насыщения 840 мА подходит для фильтрации и накопления энергии при малых и средних токах.
Совместимость с оплавлением: подходит для основных процессов SMT, удобен для серийного производства и сборки.
V. Типичное применение
Входная/выходная фильтрация импульсных источников питания (малой и средней мощности DC–DC)
Синфазная/дифференциальная фильтрация в модулях управления питанием (в зависимости от топологии схемы)
Фильтрация и развязка питания в промышленном управлении, потребительской электронике, коммуникационном оборудовании
Локальное подавление магнитных помех в зонах, чувствительных к магнитным помехам
VI. Рекомендации по выбору и меры предосторожности
Запас по току: номинальный ток и ток насыщения оба 840 мА; в применении следует оставлять запас, избегая длительной работы вблизи номинала во избежание нагрева и магнитного насыщения.
Учёт DCR: сопротивление постоянному току около 680 мОм даёт потери мощности и падение напряжения; при проектировании тока и эффективности необходимо учитывать эти потери.
Температурные и частотные характеристики: фактическая индуктивность меняется с температурой и частотой обмотки; ключевые схемы следует моделировать или измерять при целевой рабочей температуре и диапазоне частот.
Компоновка: при размещении рядом с источниками тепла или дорожками с высоким током учитывать охлаждение и механическое напряжение; по возможности использовать короткие и толстые дорожки для снижения паразитного сопротивления.
VII. Корпус и надёжность
FNR5020S470MT совместим с обычным SMD-монтажом и оплавлением. Рекомендуется соблюдать температурный профиль и профиль оплавления производителя (избегать длительного воздействия высокой температуры); контактные площадки должны обеспечивать хорошую пайку и избегать механических ударов после пайки. Долговременная надёжность зависит от нагрева, перегрузки по току и влажности окружающей среды; для критичных применений рекомендуется проводить ускоренное старение и термоциклирование.
Для получения кривых импеданса, частотной характеристики или профиля оплавления и других подробных электрических и технологических данных обращайтесь в cjiang за официальным datasheet и справочными материалами по применению.