cjiang FNR252012S1R0NT

FNR252012S1R0NT Обзор продукта
I. Введение
FNR252012S1R0NT — это чип-индуктор с магнитогелевым экранированием, выпускаемый cjiang, номинальная индуктивность 1,0 мкГн, допуск ±30%. Компонент выполнен в корпусе SMD 1008 (распространённый чип-размер), ориентирован на маломощные и среднемощные DC-DC преобразователи и фильтрацию питания, сочетает размер и токовую нагрузку, подходит для случаев с определёнными требованиями к пространству и EMI.
II. Основные параметры и электрические характеристики
Индуктивность: 1,0 мкГн ±30%
Номинальный ток (Irated): 2,1 А (допустимый длительный ток, необходимо учитывать нагрев)
Ток насыщения (Isat): 2,9 А (определяется при снижении индуктивности до определённой доли от начального значения)
Сопротивление постоянному току (DCR): около 90 мОм (типовое)
Тип: магнитогелевое исполнение, экранированная структура
Корпус: SMD (1008)
III. Особенности
Устойчивость к насыщению: Isat 2,9 А, подходит для импульсных источников питания с переходными большими токами.
Контролируемые потери на низкой частоте: DCR 90 мОм даёт приемлемые потери при малых и средних токах, способствует снижению потерь проводимости.
Экранированная структура: магнитогелевое закрытие и экранирование уменьшают внешние магнитные помехи, удобны для плотной компоновки и контроля ЭМС.
Чип-корпус: подходит для автоматического монтажа и оплавления, удобен для массового производства и сборки.
IV. Типовые применения
Основной индуктор или выходной фильтр понижающе-повышающих (Buck/Boost) и понижающих (Buck) DC-DC преобразователей.
Управление питанием портативных аккумуляторов, портативных устройств, терминалов IoT.
Фильтрация и накопление энергии в модулях питания точка-точка промышленного управления и телекоммуникационного оборудования.
Замена традиционных проволочных индукторов в маломощных и среднемощных применениях с требованиями к EMI и током до нескольких ампер.
V. Рекомендации по выбору и применению
Запас по току: рекомендуется оставлять запас более 20% от номинального тока Irated; если рабочий ток непрерывно близок к номинальному, следует оценить нагрев и срок службы.
Запас по насыщению: при наличии больших импульсных токов или кратковременных пиков следует ориентироваться на Isat, гарантируя, что пик не превышает Isat, чтобы избежать резкого снижения индуктивности и нарушения стабильности.
Оценка потерь: рассчитывать потери в меди как квадрат рабочего тока, умноженный на DCR, и оценивать общую эффективность с учётом потерь переключения.
Рабочая частота: хорошие характеристики в типовом диапазоне рабочих частот импульсных источников питания (сотни кГц); различия при конкретном токе пульсаций и частоте требуют обращения к кривым производителя.
Рекомендации по компоновке: индуктор размещать вблизи коммутационного транзистора или выходного конца, обеспечивая минимальный контур возврата; входные/выходные конденсаторы размещать у обоих концов индуктора.
VI. Корпус, надёжность и меры предосторожности
Подходит для стандартного процесса оплавления, но пайку следует выполнять по рекомендованной производителем температурной кривой, избегая слишком высокой температуры оплавления, влияющей на магнитогель или клеящие материалы.
Экранированная структура снижает магнитные помехи, но вблизи высокоточных аналоговых цепей всё же рекомендуется предусматривать достаточное расстояние или экранирование.
При хранении и пайке избегать влажности; высокая влажность может повлиять на качество корпуса, следует соблюдать уровень влагозащиты материала и требования к прокалке перед оплавлением.
В критичных применениях рекомендуется запросить и изучить подробное техническое описание производителя (зависимость индуктивности от подмагничивания, температурный коэффициент, кривые насыщения и частотные характеристики) и провести проверку на реальной схеме.
FNR252012S1R0NT благодаря преимуществу в размере, умеренной токовой нагрузке и экранирующим свойствам подходит для маломощных и среднемощных импульсных источников питания и фильтрации питания, является предпочтительным индуктивным компонентом с акцентом на размер и контроль ЭМС.