WMSIC Электронные компоненты

CRMICRO CRSD082N10L2

МодельCRSD082N10L2
КорпусTO-252
БрендCRMICRO
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
CRMICRO CRSD082N10L2
Тип
CRMICRO
Минимальная упаковка
2500 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
CRMICRO
Модель
CRSD082N10L2
Шаг
1
Корпус
TO-252
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.438g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0226507706
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
101W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
2500
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V
Входная емкость (Ciss)
2.626nF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

CRSD082N10L2 Обзор продукта
I. Введение
CRSD082N10L2 — это высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), выпущенный CRMICRO, в единичном исполнении (количество: 1 шт.), предназначенный для средне- и высоковольтных силовых коммутационных применений. Диапазон рабочих температур прибора от -55°C до +150°C, корпус — распространённый TO-252 (DPAK), удобный для поверхностного монтажа и отвода тепла.
II. Основные электрические параметры
Напряжение сток-исток Vdss: 100 В
Непрерывный ток стока Id: 78 А
Сопротивление во включённом состоянии RDS(on): 7,2 мОм @ Vgs=10 В, Id=78 А
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 1,4 В (типовое)
Общий заряд затвора Qg: 44,5 нКл @ Vgs=10 В
Входная ёмкость Ciss: 2,626 нФ @ 50 В
Ёмкость обратной передачи Crss: 38 пФ @ 50 В
Рассеиваемая мощность Pd: 101 Вт
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
III. Характеристики производительности
Низкое сопротивление во включённом состоянии: низкое RDS(on) 7,2 мОм при управлении 10 В позволяет значительно снизить потери проводимости, подходит для применений с большим током.
Широкие возможности по напряжению и току: напряжение пробоя 100 В в сочетании с непрерывным током 78 А подходит для более высоких шин напряжения и больших токовых нагрузок.
Средний заряд затвора: Qg=44,5 нКл указывает на необходимость разумной способности управления затвором для быстрого переключения, иначе потери переключения и время включения/выключения будут ограничены.
Характеристики ёмкости: данные Ciss и Crss помогают оценить влияние переходных процессов переключения и эффекта Миллера на схему, облегчая проектирование управления и ЭМП.
IV. Типичные области применения
Понижающе-повышающие преобразователи DC-DC и синхронные выпрямители
Основной коммутатор или синхронный MOSFET импульсных источников питания (SMPS)
Управление двигателями и коммутаторы входного каскада инверторов
Схемы управления батареями и защиты питания (требуется оценка по конкретным требованиям сертификации)
Силовой каскад промышленных источников питания и коммуникационного оборудования
V. Рекомендации по использованию и меры предосторожности
Рекомендуемое напряжение управления затвором: для достижения номинального RDS(on) рекомендуется управление 10 В. При использовании логического уровня необходимо проверить фактические потери проводимости.
Проектирование управления затвором: из-за большого Qg рекомендуется использовать драйвер с достаточной токовой способностью и параллельно подключать подходящий демпфирующий резистор к затвору для контроля звона и ЭМП.
Управление теплом: номинальная Pd 101 Вт указывает на то, что рассеивание тепла прибора зависит от хорошего пути отвода тепла; в корпусе TO-252 следует оптимизировать медную фольгу PCB для отвода тепла, переходные отверстия или внешний радиатор, чтобы избежать перегрева и обеспечить долговременную надёжность.
Рекомендации по компоновке: минимизировать паразитную индуктивность пути возврата сток-исток, оптимизировать контур тока, разместить развязку near питания и земли, обратить внимание на переходные процессы переключения, вызванные ёмкостью Миллера.
ESD и надёжность: обрабатывать в соответствии с промышленными нормами антистатической защиты, хранить и паять в соответствии с рекомендованными производителем кривыми оплавления и уровнем влагостойкости.
VI. Корпус и информация для заказа
Корпус: TO-252 (DPAK), удобен для поверхностного монтажа и отвода тепла средней мощности. Модель: CRSD082N10L2, бренд: CRMICRO. Количество в единичной упаковке — 1 шт.; при заказе уточняйте форму упаковки и спецификации поставки в соответствии с фактическими потребностями.
VII. Заключение
CRSD082N10L2 — это N-канальный MOSFET уровня 100 В/78 А с низким сопротивлением во включённом состоянии и хорошей тепловой способностью, подходящий для силовых схем, требующих относительно высокого тока и высокой производительности переключения. Разумное управление затвором и тепловое проектирование — ключ к раскрытию его преимуществ и обеспечению надёжности. При использовании в специальных применениях (например, автомобильный класс или высокочастотная высокотемпературная среда) рекомендуется дополнительно подтвердить с помощью полного datasheet и результатов испытаний на надёжность.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.