WMSIC Электронные компоненты

CRMICRO CRSD130N10L2

МодельCRSD130N10L2
КорпусTO-252
БрендCRMICRO
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 23+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
CRMICRO CRSD130N10L2
Тип
CRMICRO
Минимальная упаковка
2500 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
CRMICRO
Модель
CRSD130N10L2
Шаг
1
Корпус
TO-252
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.457g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0226507878
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
101.2W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
2500
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V
Входная емкость (Ciss)
2.427nF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

CRSD130N10L2 Обзор продукта
I. Введение в продукт
CRSD130N10L2 — это 100-В однокристальный N-канальный мощный полевой транзистор, выпущенный CRMICRO, в поверхностно-монтируемом корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для высокоточных и высокоэффективных коммутационных применений. Прибор имеет широкий диапазон рабочих температур (-55°C до +150°C), подходит для жестких условий промышленности и автомобильной электроники.
II. Основные электрические параметры
Напряжение сток-исток Vdss: 100 В
Непрерывный ток стока Id: 65 А
Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 11 мОм при Vgs = 10 В, Id = 50 А
Пороговое напряжение Vgs(th): 1,4 В
Общий заряд затвора Qg: 42 нКл при Vgs = 10 В
Входная емкость Ciss: 2,427 нФ при 50 В
Обратная передаточная емкость Crss: 44 пФ при 50 В
Рассеиваемая мощность Pd: 101,2 Вт (справочное значение, фактически зависит от корпуса и теплоотвода печатной платы)
III. Рекомендации по управлению и коммутационным характеристикам
Для получения номинального низкого RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10–12 В; хотя Vgs(th) составляет 1,4 В, при логическом уровне управления (5 В) сопротивление в открытом состоянии увеличивается.
Qg = 42 нКл указывает на то, что прибор предъявляет повышенные требования к драйверу затвора при высокой частоте коммутации. Среднюю мощность драйвера можно оценить по формуле Pdrive = Qg·Vdrive·fs; например, при 200 кГц и Vdrive=10 В она составляет примерно 0,084 Вт. Для управления переходными процессами коммутации рекомендуется последовательное сопротивление затвора 2–10 Ом, при необходимости параллельно — фиксатор Миллера или RC-снаббер.
Crss относительно мала, что способствует уменьшению эффекта Миллера, но большая Ciss делает dV/dt чувствительным к способности драйвера.
IV. Тепловое управление и внимание к корпусу
TO-252 — это поверхностно-монтируемый корпус для малой и средней мощности; номинальное значение Pd необходимо рассчитывать с учетом теплоотвода печатной платы. Фактический теплоотвод зависит от площади контактной площадки, меди на обратной стороне и переходных отверстий.
Рекомендуется использовать большую площадь медной фольги в цепи питания, многослойные теплоотводящие слои и тепловые переходные отверстия, при необходимости в сочетании с внешним радиатором или теплоотводом, чтобы обеспечить температуру перехода в безопасном диапазоне и продлить срок службы.
V. Типичные применения
Силовой ключ в синхронных понижающих преобразователях класса 100 В
Импульсные источники питания (SMPS), автомобильные DC-DC, драйверы автомобильных фар
Приводы двигателей, преобразование мощности и входные модули коррекции коэффициента мощности (PFC)
Применения, требующие высокого тока проводимости и средней частоты коммутации
VI. Рекомендации по компоновке и надежности
Минимизировать площадь контура тока, располагать элементы рядом с конденсаторами питания и прибором, снижать звон и выбросы, вызванные паразитной индуктивностью.
В случаях высокого dv/dt обращать внимание на трассировку и обратный контур; при необходимости добавлять защитные элементы затвор-исток, такие как диод Шоттки или супрессор.
Соблюдать технологические нормы пайки и оплавления, избегать превышения температурных пределов прибора. При работе при высокой температуре необходимо учитывать долговременную электромиграцию и влияние термоциклов.
VII. Заключение
CRSD130N10L2 благодаря классу напряжения 100 В, низкому сопротивлению в открытом состоянии до 11 мОм и большой способности по непрерывному току подходит для преобразования мощности с высокими требованиями к эффективности и потерям проводимости. При выборе следует комплексно учитывать способность драйвера затвора, частоту коммутации и конструкцию теплоотвода печатной платы, чтобы обеспечить наилучшие характеристики прибора.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.