DIODES ZVN3320FTA

ZVN3320FTA Обзор продукта
Основная информация
ZVN3320FTA — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, специально разработанный для маломощных приложений. Его основные электрические характеристики включают: напряжение сток-исток (Vdss) до 200 В, хорошую способность выдерживать ток стока (Id 60 мА @ 25°C) и низкое сопротивление сток-исток во включённом состоянии (Rds On) 25 Ом @ 100 мА, 10 В. Этот продукт подходит для электронных схем, требующих стабильной работы при высоком напряжении и среднем токе, особенно для переключения, линейного усиления и приводных приложений.
Ключевые параметры
Напряжение сток-исток (Vdss): 200 В
Непрерывный ток стока (Id): 60 мА @ 25°C
Пороговое напряжение затвор-исток (Vgs(th)): 3 В @ 1 мА
Сопротивление сток-исток во включённом состоянии (Rds On): 25 Ом @ 100 мА, 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 330 мВт @ Ta=25°C
Диапазон рабочих температур: -55°C ~ 150°C
Тип корпуса: SOT-23-3
Основные характеристики
Высокое напряжение и токовая способность: ZVN3320FTA имеет напряжение сток-исток 200 В, отлично работает в различных высоковольтных приложениях. По способности выдерживать непрерывный ток стока его максимальное значение составляет 60 мА, что позволяет продукту обрабатывать умеренные токовые нагрузки.
Низкое сопротивление во включённом состоянии: характерное сопротивление во включённом состоянии (Rds On) этого устройства составляет 25 Ом, что обеспечивает малое падение напряжения в проводящем состоянии, повышая энергоэффективность и снижая нагрев. Это особенно важно для таких применений, как импульсные источники питания и приводы двигателей.
Широкий диапазон рабочих условий: ZVN3320FTA имеет широкий диапазон рабочих температур, может работать при температуре от -55°C до 150°C, что делает его очень подходящим для применений в авиационной, автомобильной и промышленной автоматике при высоких и низких температурах.
Компактный корпус: дизайн корпуса SOT-23-3 не только экономит пространство, но и удобен для поверхностного монтажа (SMD), подходит для компоновки плат с высокой плотностью. Его компактный дизайн позволяет адаптироваться к требованиям компактного дизайна современных электронных устройств.
Относительно высокое пороговое напряжение затвор-исток: пороговое напряжение затвор-исток (Vgs(th)) составляет 3 В @ 1 мА, что гарантирует возможность включения продукта при более низком напряжении затвора, позволяя разработчикам легче интегрировать схемы управления.
Области применения
ZVN3320FTA подходит для различных сценариев, включая, но не ограничиваясь:
Импульсные источники питания: в схемах импульсных источников питания высокая скорость переключения и низкие потери проводимости обеспечивают эффективное преобразование энергии.
Приводы двигателей: может использоваться в схемах управления двигателями постоянного тока и шаговыми двигателями.
Усилители мощности: в аудио- и радиочастотных усилителях мощности обеспечивает хорошую способность усиления сигнала.
Системы автоматического управления: может применяться в различных приложениях управления датчиками и реле.
Поставщик и бренд
ZVN3320FTA производится компанией DIODES, известным поставщиком полупроводников, который по всему миру поставляет высококачественные и высоконадёжные электронные компоненты для различных рынков.
Заключение
В целом, ZVN3320FTA — это многофункциональный высокопроизводительный N-канальный MOSFET, обладающий такими превосходными характеристиками, как высокое рабочее напряжение 200 В и низкое сопротивление во включённом состоянии, подходящий для различных электронных проектов и систем управления. Его компактный корпус и широкий диапазон рабочих температур делают его широко применимым в современных электронных устройствах. В связи с постоянным ростом потребностей электронных устройств в высокой эффективности и миниатюризации ZVN3320FTA предлагает идеальное решение.