DOWO SS8050 200-350 SS8050

SS8050 200-350 Обзор продукта
I. Обзор характеристик
SS8050 200-350 — низковольтный транзистор NPN средней мощности производства DOWO, в малом корпусе SOT-23, подходит для потребительской электроники и промышленного управления с ограниченным пространством. Прибор обладает высоким коэффициентом усиления по постоянному току и хорошей частотной характеристикой в области малых и средних токов, подходит для коммутации и усиления малых сигналов.
II. Основные электрические параметры
Тип транзистора: NPN
Ток коллектора (Ic): максимум 1,5 А
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 25 В
Рассеиваемая мощность (Pd): 300 мВт (корпус SOT-23; фактическая мощность определяется условиями окружающей среды и теплоотводом печатной платы)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): 120 (типовое значение, условия измерения 100 мА, Vce=1 В)
Граничная частота (fT): 100 МГц (типовая)
Ток отсечки коллектора (Icbo): 100 нА (типовой)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 500 мВ (типовое; значение зависит от условий измерения насыщения)
Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo): 5 В
III. Корпус и выводы
Корпус: SOT-23, подходит для поверхностного монтажа.
Типовая цоколевка (SOT-23, только для справки; конкретно см. техническое описание производителя): 1 — база, 2 — эмиттер, 3 — коллектор. Тепловое сопротивление SOT-23 и компоновка печатной платы существенно влияют на максимальную рассеиваемую мощность прибора; при проектировании рекомендуется предусмотреть медную теплоотводящую зону и учитывать тепловое моделирование.
IV. Области применения
Усиление малых сигналов в низковольтных цепях со стороны холодного источника (предварительные усилители, схемы драйверов)
Универсальный коммутационный элемент в портативных и потребительских устройствах
Управление маломощными реле, оптопарами или слюдяными нагрузками (ограничено номинальным током и рассеиваемой мощностью)
Формирование сигнала, буферизация и преобразование уровней
V. Рекомендации по проектированию и использованию
При работе вблизи максимальных Ic (1,5 А) и Pd (300 мВт) обязательно оценивать способность печатной платы отводить тепло; SOT-23 при высокой средней мощности легко нагревается, следует ограничивать коэффициент заполнения или применять медную теплоотводящую фольгу.
Избегать превышения Vebo (5 В) между базой и эмиттером, чтобы предотвратить обратный пробой база-эмиттер.
Для коммутационных применений, требующих низкого напряжения насыщения, учитывать VCE(sat) около 500 мВ; при необходимости использовать параллельное включение или выбирать приборы с низким VCE(sat).
При высокочастотном усилении малых сигналов fT≈100 МГц указывает на сохраняющееся усиление в диапазоне десятков МГц, но компоновка цепи должна подавлять паразитную емкость и индуктивность дорожек.
VI. Надежность и рекомендации по закупке
При выборе следует обращаться к официальному техническому описанию DOWO для получения полных абсолютных максимальных номиналов, типовых характеристик и размеров корпуса. При массовой закупке рекомендуется подтверждать согласованность партий и записи заводских испытаний; для критических применений можно запросить образцы для испытаний на высокотемпературное старение и термоциклирование.