DIOTEC BC857C

BC857C Обзор продукта
I. Обзор
BC857C — высокоусилительный малосигнальный PNP-транзистор серии DIOTEC, подходящий для низкопотребляющих коммутационных и усилительных применений. Прибор поставляется в малом корпусе SOT-23-3 (TO-236-3), типичные параметры: ток коллектора Ic=100 мА, напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo=45 В, рассеиваемая мощность Pd=250 мВт, коэффициент усиления по постоянному току hFE до 420 (при Ic=2 мА, Vce=5 В), граничная частота fT≈100 МГц. Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до +150°C, низкий ток утечки и хорошая частотная характеристика, подходит для портативных и ограниченных по пространству электронных устройств.
II. Основные электрические параметры
Тип транзистора: PNP малосигнальный биполярный транзистор
Максимальный ток коллектора Ic: 100 мА
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 45 В
Рассеиваемая мощность Pd (SOT-23, справочная окружающая среда): 250 мВт (при 25°C, линейное снижение с температурой, см. datasheet)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 420 (типичное значение, Ic=2 мА, Vce=5 В)
Граничная частота fT: около 100 МГц
Ток отсечки коллектора Icbo: около 15 нА (типичное, низкая утечка)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 650 мВ (типичное, конкретные условия измерения см. в таблице образца)
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 В
III. Корпус и тепловое управление
BC857C выполнен в корпусе SOT-23-3, малый размер, подходит для автоматического монтажа. Номинальная рассеиваемая мощность 250 мВт обычно указана при 25°C окружающей среды, с ростом температуры перехода требуется линейное снижение (примерно 2 мВт/°C, точное значение см. параметры теплового сопротивления и кривую derating производителя). При компоновке рекомендуется увеличить заземляющую медную фольгу и максимально укоротить выводы, при необходимости улучшить теплоотвод через медную площадь.
IV. Области применения
BC857C подходит для:
Высококачественных малосигнальных усилителей в портативной и потребительской электронике
Драйвера PNP-стороны в высокочастотных коммутационных и двухтактных схемах
Схем сдвига уровня, смещения и компенсации аналоговых сигналов
Фронтальных и интерфейсных схем низкопотребляющих датчиков
Высокий hFE обеспечивает хорошие характеристики при малотоковом усилении (в местах с требованием низкого шума); Vceo 45 В также удовлетворяет потребности большинства низковольтных и средневольтных систем.
V. Меры предосторожности
Максимальное обратное напряжение базы Vebo около 5 В, избегайте подачи обратного напряжения между базой и эмиттером выше этого значения во избежание повреждения.
В режиме насыщения VCE(sat) около 650 мВ; если требуется более низкое напряжение насыщения, следует рассмотреть параллельное включение или выбор специализированного низковольтного насыщенного прибора.
Рассеиваемая мощность корпуса сильно зависит от теплоотвода PCB; при длительной работе при высокой температуре необходимо строго соблюдать derating согласно datasheet.
Детали выводов и корпуса, условия испытаний и т.д. см. в официальном datasheet DIOTEC; при производстве и замене обращайте внимание на актуальную версию для обеспечения совместимости.
VI. Информация о корпусе и серии
BC857C относится к высокоусилительной (класс C) модели серии BC857, в серии также есть BC857A/B и др., соответствующие различным диапазонам hFE. Обычный корпус — SOT-23-3, совместим с автоматическими линиями монтажа. Для более подробной цоколёвки, типовых схем и кривых испытаний см. datasheet продукта DIOTEC.
Резюме: BC857C — это PNP малосигнальный транзистор с высоким усилением, низкой утечкой и хорошими частотными характеристиками в малом корпусе, подходящий для различных низкопотребляющих усилительных и коммутационных применений в портативной и потребительской электронике.