ElecSuper IRFR1205TRPBF-ES IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF-ES — описание изделия

Описание
IRFR1205TRPBF-ES — N-канальный силовой MOSFET для коммутации и линейных нагрузок низкого и среднего напряжения с высоким током. Корпус TO-252 обеспечивает теплоотвод и эффективное использование площади; исполнение подходит для типовых задач управления питанием и приводами двигателей.

Основные параметры
• Тип: N-канальный MOSFET.
• Напряжение сток–исток Vdss: 60 V.
• Постоянный ток стока Id: 20 A.
• Сопротивление открытого канала RDS(on): 26 mΩ при Vgs=10 V; 33 mΩ при Vgs=4.5 V.
• Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 25 W (зависит от корпуса и условий теплоотвода).
• Пороговое напряжение Vgs(th): 1.6 V при Id=250 µA.
• Полный заряд затвора Qg: 20.3 nC при Vgs=10 V.
• Входная ёмкость Ciss: 860 pF; ёмкость обратной передачи Crss: 51 pF; выходная ёмкость Coss: 62 pF.
• Корпус: TO-252.

Характеристики
Низкое сопротивление открытого канала при напряжении затвора 10 V снижает потери проводимости. Заряд затвора 20.3 nC обеспечивает баланс между скоростью переключения и мощностью управления. Уровень напряжения 60 V подходит для автомобильных вспомогательных систем, промышленных источников питания и промежуточных шин. Корпус TO-252 подходит для монтажа на PCB, теплоотвода и автоматизированной сборки.

Типичные области применения
• Синхронные выпрямители и понижающие преобразователи DC-DC.
• Коммутационные каскады приводов двигателей и переключатели нагрузки.
• Импульсные источники питания и модули управления питанием.
• Силовые переключатели в связном оборудовании и системах промышленного управления.

Рекомендации по теплоотводу
Для корпуса TO-252 рекомендуется предусмотреть на PCB соответствующие теплоотводящие медные площадки; при необходимости тепло можно передавать на нижний слой через переходные отверстия. Потери проводимости следует оценивать по формуле P = I^2·RDS(on), а суммарный нагрев учитывать вместе с потерями переключения, связанными с Qg и частотой переключения. Для высокочастотной коммутации можно увеличить сопротивление затвора, чтобы подавить звон, и использовать RC/TVS для ограничения выбросов.

Рекомендации по выбору и применению
При напряжении управления затвором 10 V достигается минимальное значение RDS(on). Если доступно только 4.5 V, потери следует рассчитывать с учётом RDS(on) 33 mΩ. В высокочастотных схемах следует учитывать энергозатраты на управление затвором и потери переключения. Для индуктивной нагрузки требуется предусмотреть защиту от перенапряжения и продумать компоновку цепи, чтобы эффект Миллера, связанный с Crss, не вызывал ошибочное переключение.