WMSIC Электронные компоненты

FUXINSEMI SS8050

МодельSS8050
КорпусSOT-23
БрендFUXINSEMI
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
FUXINSEMI SS8050
Тип
FUXINSEMI
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
FUXINSEMI
Модель
SS8050
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Количество
1 NPN
Категория
Транзистор (BJT)
Вес
0.03g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0225802263
Тип транзистора
NPN
Граничная частота (fT)
100MHz
Рассеиваемая мощность (Pd)
300mW
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000
Ток коллектора (Ic)
1.5A

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

SS8050 транзистор (BJT) Обзор продукта
Краткое описание
SS8050 — это NPN транзистор, производимый FUXINSEMI, в корпусе SOT-23. Этот транзистор широко применяется в различных электронных устройствах, особенно подходит для сценариев, требующих высокой частоты и средней мощности.
Основные параметры
Мощность (Pd): 300 мВт. Это указывает на максимальную мощность, которую транзистор может выдерживать при нормальных условиях работы.
Категория товара: транзистор (BJT). Относится к семейству биполярных транзисторов, регулирует ток между коллектором и эмиттером путём управления током базы.
Тип транзистора: NPN. В NPN транзисторе база является полупроводником P-типа, коллектор и эмиттер — полупроводниками N-типа. Это означает, что при прямом смещении между базой и эмиттером между коллектором и эмиттером протекает ток.
Граничная частота (fT): 100 МГц. Указывает на характеристики транзистора в высокочастотных применениях, высокая граничная частота означает, что он может обрабатывать сигналы более высокой частоты.
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 25 В. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, когда база не подключена или заземлена. Превышение этого значения может привести к повреждению транзистора.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)@Ic,Ib): 500 мВ @ 800 мА, 80 мА. Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданных токе коллектора (Ic) и токе базы (Ib). Низкое напряжение насыщения означает низкое энергопотребление в коммутационных применениях.
Обратный ток коллектора (Icbo): 100 нА. Ток утечки между коллектором и эмиттером, когда база замкнута с эмиттером или не подключена. Низкий обратный ток указывает на очень низкое энергопотребление в закрытом состоянии.
Ток коллектора (Ic): 1,5 A. Максимальный непрерывный ток, допускаемый через коллектор при заданных условиях.
Корпус и бренд
Корпус: SOT-23. Миниатюрный корпус, подходит для применений с ограниченным пространством, повышает гибкость компоновки PCB.
Бренд: FUXINSEMI. Компания, специализирующаяся на проектировании, производстве и продаже электронных компонентов, предлагающая высококачественную и надёжную продукцию.
Области применения
Высокочастотные усилители
Благодаря высокой граничной частоте 100 МГц SS8050 отлично подходит для высокочастотного усиления сигналов, например в беспроводном коммуникационном оборудовании, радиочастотных усилителях и т.д.
Коммутационные применения
Низкое напряжение насыщения (500 мВ) и высокий ток коллектора (1,5 A) делают SS8050 очень подходящим для различных коммутационных применений, таких как управление реле, управление двигателями и т.д.
Малопотребляющие устройства
Низкое энергопотребление транзистора (300 мВт) делает его идеальным выбором для малопотребляющих электронных устройств, например портативной электроники, устройств умного дома и т.д.
Автомобильные электронные системы
Высокое напряжение коллектора (25 В) и высокая токовая способность коллектора SS8050 делают его пригодным для различных применений в автомобильных электронных системах, таких как управление освещением, управление датчиками и т.д.
Меры предосторожности при использовании
Тепловое управление
Хотя рассеиваемая мощность SS8050 составляет 300 мВт, при высокочастотной или сильноточной работе всё равно необходимо учитывать отвод тепла, чтобы избежать снижения характеристик или повреждения из-за перегрева.
Ограничение напряжения
Убедиться, что рабочее напряжение не превышает указанное напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo), чтобы предотвратить повреждение транзистора.
Управление базой
При использовании SS8050 необходимо убедиться, что ток управления базой соответствует рекомендуемому значению, чтобы избежать перегрузки или ненормальной работы.
Заключение
SS8050 — это мощный и гибкий NPN транзистор, благодаря высокочастотным характеристикам, низкому напряжению насыщения и высокой токовой способности коллектора широко применяется в различных электронных устройствах. Миниатюрный корпус SOT-23 дополнительно повышает его преимущество в применениях с ограниченным пространством. При правильном использовании и управлении SS8050 обеспечивает надёжную и эффективную работу, удовлетворяя потребности различных сценариев.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.