FOSAN S8550

S8550 — биполярный транзистор малой мощности в корпусе SOT-23 для усиления малых сигналов и коммутации нагрузок.

Основные характеристики:
Ток коллектора Ic: 500 mA (максимум)
Напряжение пробоя коллектор—эмиттер Vceo: 25 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 225 mW (тепловое ограничение корпуса, типовое значение при Ta=25°C)
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 400 (при Ic=100 mA, Vce=1 V, типовое значение)
Граничная частота усиления fT: 120 MHz (типовое значение)
Обратный ток коллектора Icbo: 100 nA (при комнатной температуре)
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер VCE(sat): ≤600 mV (при Ic=500 mA, Ib=50 mA)
Напряжение пробоя эмиттер—база Vebo: 5 V

S8550 подходит для работы при средних токах и частотах. Высокое значение hFE позволяет получить значительный ток коллектора при небольшом токе базы. Частота fT=120 MHz поддерживает обработку сигналов в нижней части диапазона VHF. Рассеиваемая мощность корпуса SOT-23 ограничена значением 225 mW; при работе с высоким током учитывайте температуру перехода и теплоотвод.

Типовые применения:
Усилители мощности малой мощности и предварительные усилители для малых сигналов
Низковольтная коммутация и управление нагрузкой, включая реле и LED на низких частотах
Формирование и буферизация сигналов, преобразование уровней
Универсальные усилительные каскады в мобильных устройствах, бытовой технике и потребительской электронике

Корпус и теплоотвод:
Компактный корпус SOT-23 подходит для печатных плат с высокой плотностью монтажа. Значение Pd=225 mW соответствует пределу мощности при температуре окружающей среды 25°C. При высоком Ic применяйте короткие импульсы или снижайте коэффициент заполнения, увеличивайте площадь медных участков платы и используйте тепловые переходные отверстия. Учитывайте кривую снижения допустимой мощности в зависимости от температуры окружающей среды, указанную в документации производителя.

Рекомендации по применению:
При длительной работе с током, близким к нескольким сотням миллиампер, оцените теплоотвод и рассмотрите корпуса большего размера, например SOT-223 или TO-220.
Обратное напряжение база—эмиттер не должно превышать Vebo=5 V.
В режиме насыщения обеспечьте достаточный ток базы, например Ib≈Ic/10, чтобы снизить VCE(sat).
Проверьте распиновку и предельные значения по документации конкретного производителя: распиновка корпуса может различаться.

В усилителе с общим эмиттером высокое hFE позволяет уменьшить ток смещения базы и повысить входное сопротивление; учитывайте эффект Эрли и температурный дрейф. В режиме ключа рассчитайте ограничение тока базы и ток насыщения для удержания VCE(sat) в допустимом диапазоне. На этапе проверки прототипа оцените нагрев, долговременный дрейф и изменение обратной утечки с температурой.

Типовая распиновка SOT-23, справочно: вывод 1 — база (B), вывод 2 — эмиттер (E), вывод 3 — коллектор (C).