GOODWORK SI2302S

SI2302S Обзор продукта
I. Введение
SI2302S — N-канальный MOSFET с малым корпусом и высокой экономической эффективностью, корпус SOT-23, номинальное напряжение сток-исток 20 В, подходит для различных низковольтных коммутационных и управляющих применений. Рабочий диапазон температур широкий (-55°C~+150°C), количество в упаковке: 1 N-канальный.
II. Основные электрические параметры
Напряжение сток-исток Vdss: 20 В
Непрерывный ток стока Id: 2,3 А (условия ограничены тепловыми возможностями корпуса)
Сопротивление во включённом состоянии RDS(on): 45 мОм @ Vgs=4,5 В; 65 мОм @ Vgs=2,5 В
Пороговое напряжение Vgs(th): 1 В @ Id=250 мкА
Входная ёмкость Ciss: 200 пФ; выходная ёмкость Coss: 35 пФ; проходная ёмкость Crss: 28 пФ
Заряд затвора Qg: 3 нКл @ Vgs=4,5 В
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 1,2 Вт
III. Особенности и преимущества
Низкое сопротивление во включённом состоянии, при управлении 4,5 В RDS(on) всего 45 мОм, подходит для прямого управления от MCU и коммутации нагрузок питания.
Малый заряд затвора (Qg=3 нКл), высокое быстродействие, малые потери переключения, подходит для высокочастотных применений.
Малый корпус SOT-23, подходит для портативных или плотных печатных плат с ограниченным пространством.
Широкий рабочий диапазон температур, высокая надёжность, подходит для промышленных применений.
IV. Типовые применения
Коммутация пути питания портативных устройств, коммутация нагрузок и изоляция питания
Низкосторонний ключ или синхронное выпрямление в понижающих DC-DC преобразователях (в зависимости от мощности и тепловых ограничений)
Системы с батарейным питанием, драйверы подсветки, коммутация сигналов и защитные схемы
V. Указания по проектированию и компоновке
Тепловые характеристики корпуса ограничены, максимальная Pd=1,2 Вт, фактические потери проводимости (I^2·RDS(on)) и потери переключения должны укладываться в тепловой бюджет, рекомендуется увеличить площадь медной фольги на печатной плате для снижения теплового сопротивления переход-среда.
Из-за Crss=28 пФ при быстром переключении возможны паразитные колебания, рекомендуется последовательно с затвором включить небольшой резистор (10 Ом~100 Ом) и добавить необходимые RC-демпфирующие или поглощающие цепи для подавления звона.
При прямом управлении 2,5 В RDS(on) составляет 65 мОм, подходит для низковольтных микроконтроллеров, но для минимальных потерь проводимости рекомендуется управление затвором 4,5 В.
Учитывать характеристики обратного собственного диода, при переходных процессах коммутации обеспечить путь свободного хода и правильную топологию контура.
VI. Корпус и надёжность
Корпус: SOT-23 (одиночный). Подходит для автоматизированного поверхностного монтажа.
Диапазон температур: -55°C ~ +150°C, подходит для жёстких условий и промышленных изделий.
Рекомендации по обращению: стандартные меры защиты от статического электричества и влаги, оценка в соответствии с упаковкой производителя и процессом оплавления.
Итог: SI2302S — универсальный N-канальный MOSFET для низковольтной коммутации и управления питанием, сочетает низкое сопротивление во включённом состоянии и высокое быстродействие, корпус SOT-23 обеспечивает хорошую адаптацию в условиях ограниченного пространства. Для конкретных требований по мощности и тепловому режиму следует выполнить тепловое моделирование и оптимизацию топологии.