HXY MOSFET BAS21S

BAS21S Обзор продукта
I. Введение в продукт
BAS21S — это малосигнальный переключательный диод, выпускаемый HXY MOSFET, в корпусе SOT-23, внутренняя структура — 1 пара последовательного включения. Устройство подходит для использования в качестве выпрямительного, переключательного и защитного элемента в высоковольтных маломощных применениях, где предъявляются требования к размеру и скорости. При рабочем токе 200 мА имеет низкое прямое падение напряжения и очень малый обратный ток утечки, подходит для обработки высоковольтных сигналов или защитных цепей в портативных устройствах, связи и промышленном контроле.
II. Основные рабочие параметры
Конфигурация диода: 1 пара последовательного включения
Прямое падение напряжения (Vf): 1,25 В @ 200 мА
Постоянное обратное напряжение (Vr): 250 В
Номинальный выпрямительный ток: 200 мА (DC)
Рассеиваемая мощность (Pd): 225 мВт
Обратный ток (Ir): 100 нА @ 200 В
Время обратного восстановления (Trr): 50 нс
Неповторяющийся пиковый импульсный ток (Ifsm): 2,5 А
Корпус: SOT-23
Бренд: HXY MOSFET
III. Особенности и преимущества
Высокое напряжение: обратное напряжение 250 В позволяет устройству работать непосредственно в высоковольтных сигнальных путях, сокращая количество элементов межкаскадной изоляции.
Низкая утечка: обратный ток при 200 В составляет всего 100 нА, может использоваться в высокоомных или чувствительных к энергопотреблению в режиме ожидания цепях.
Быстрое переключение: время обратного восстановления 50 нс подходит для средне- и высокоскоростных переключательных и импульсных выпрямительных применений, снижает потери переключения и электромагнитные помехи.
Малый корпус: корпус SOT-23 удобен для компоновки PCB с ограниченным пространством и автоматизированного монтажа.
Последовательная структура: конструкция из 1 пары последовательного включения облегчает реализацию схем с особым распределением напряжения или требованиями к направлению блокировки.
IV. Типичные области применения
Маломощное выпрямление и фиксация во вторичных или вспомогательных источниках питания.
Схемы фиксации сигналов, защиты от перенапряжений и поглощения импульсов.
Высоковольтное маломощное детектирование и защита в телекоммуникационном оборудовании, приборах.
Применения для изоляции уровней или защиты от обратной полярности в портативной и потребительской электронике.
Импульсные выпрямительные применения, требующие быстрого восстановления и повышенных требований к напряжению.
V. Рекомендации по применению и меры предосторожности
Рассеиваемая мощность Pd составляет 225 мВт, в практических применениях необходимо учитывать мощность и температуру перехода (особенно при непрерывной работе 200 мА), рекомендуется в проектировании PCB предусмотреть соответствующую медную теплоотводящую зону и рассмотреть параллельное включение или использование более крупного корпуса для снижения температуры перехода.
В импульсных или переходных условиях следует оценить, соответствует ли Ifsm (2,5 А) требованиям к переходной энергии. Длительное превышение спецификации по импульсам может повредить устройство.
При высокочастотном переключении учитывать влияние Trr (50 нс) на потери переключения и электромагнитную совместимость, при необходимости использовать RC-цепочку или демпфирующую сеть.
Поддерживать обратное напряжение ниже 250 В с некоторым запасом для учета выбросов напряжения и переходных состояний.
VI. Информация о корпусе и заказе
Стандартный корпус: SOT-23, удобен для автоматизированного монтажа и применений с ограниченным объемом.
Бренд: HXY MOSFET; для образцов или оптовых закупок предоставьте полное обозначение компонента BAS21S и требования к упаковке, запрашивайте цену и сроки поставки у HXY MOSFET или его авторизованных дистрибьюторов.
Если требуется тепловой расчет или сравнение вариантов на основе конкретных условий схемы (рабочая частота, коэффициент заполнения, температура окружающей среды), я могу дать более точные рекомендации и схему тепловой компоновки на основе параметров вашей схемы.