HXY MOSFET BSS123

BSS123 Обзор продукта
I. Обзор
BSS123 (HXY MOSFET) — это одиночный N-канальный MOSFET с индуцированным каналом, корпус SOT-23, подходит для маломощных высоковольтных применений в качестве малосигнального ключа и усилителя. Прибор имеет напряжение 100 В, непрерывный ток стока 170 мА, предназначен для применений, требующих высоковольтной развязки при малом токе.
II. Основные параметры
Тип: N-канальный MOSFET с индуцированным каналом
Напряжение сток-исток Vdss: 100 В
Непрерывный ток стока Id: 170 мА
Сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 6 Ом @ Vgs=10 В (ток измерения около 0,17 А)
Рассеиваемая мощность Pd: 350 мВт (Ta=25 °C, требуется снижение в зависимости от температуры)
Пороговое напряжение Vgs(th): 2,5 В (типовое)
Входная емкость Ciss: 30 пФ @ 50 В
Емкость обратной передачи Crss: 7 пФ @ 50 В
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-23 (обычно расположение выводов: 1=G, 2=D, 3=S; при поставке ориентироваться на чертеж корпуса)
III. Особенности и преимущества
Высокое напряжение (100 В): подходит для маломощных коммутационных применений, требующих высоковольтной развязки.
Малая входная емкость (Ciss≈30 пФ): способствует быстрому переключению, снижению мощности управления и эффекта Миллера.
Малый корпус SOT-23: экономит площадь печатной платы, подходит для портативных и ограниченных по пространству конструкций.
Широкий температурный диапазон: промышленные температурные характеристики, высокая надежность.
IV. Типовые применения
Высоковольтное логическое управление и коммутация (индикаторы, управление малыми реле и т.п., потребность по току на уровне сотен миллиампер)
Ключ или синхронное выпрямление в маломощных DC–DC преобразователях (необходимо учитывать потери проводимости)
Схемы защиты и ограничения тока, развязка сигналов и сдвиг уровней
Высоковольтные коммутационные элементы в измерительных приборах
V. Рекомендации по использованию
Сопротивление в открытом состоянии высокое, прибор при большом токе или высокочастотном переключении будет значительно нагреваться; следует строго соблюдать снижение Pd и температуры окружающей среды, а также увеличить площадь теплоотвода на печатной плате.
Vgs(th)=2,5 В — это пороговое напряжение, оно не означает полное открывание; для получения более низкого RDS(on) следует использовать напряжение затвор-исток около 10 В, но в реальном применении необходимо учитывать возможности драйвера и допустимое напряжение выводов.
Для индуктивной нагрузки следует параллельно подключать обратный диод или использовать защитный диод; в цепь затвора рекомендуется последовательно включать небольшой резистор (например, 100 Ом) для подавления звона и ограничения переходного тока.
Обратите внимание на защиту от статического электричества во избежание повреждения затвора; пайка согласно спецификации SOT-23, температурный профиль оплавления не должен превышать указанный в документации.
VI. Корпус и закупка
Корпус: SOT-23, удобен для поверхностного монтажа.
Бренд: HXY MOSFET.
Примечание по выбору и замене: если требуется более низкое RDS(on) или больший ток, рекомендуется выбрать логический MOSFET с более низким номинальным сопротивлением в открытом состоянии; если требования по напряжению можно ослабить, можно рассмотреть более распространенные приборы на 60 В для получения меньшего падения напряжения.
Для получения чертежа корпуса, схемы выводов или кривой снижения мощности по температуре (Pd в зависимости от температуры окружающей среды) и других подробных данных можно предоставить дополнительную документацию для точного проектирования и компоновки.