WMSIC Электронные компоненты

HXY MOSFET S1M

МодельS1M
КорпусSOD-123F
БрендHXY MOSFET
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
HXY MOSFET S1M
Тип
HXY MOSFET
Минимальная упаковка
3000 编带

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
HXY MOSFET
Модель
S1M
Шаг
1
Корпус
SOD-123F
Категория
универсальный диод
Вес
0.04g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0257484822
Выпрямительный ток
1A
Конфигурация диода
Независимый
Обратный ток (Ir)
5uA@1kV
Прямое падение напряжения (Vf)
1.1V@1A
Диапазон рабочей температуры перехода
55℃~+150℃
Минимальная упаковочная единица
Лента
Минимальное количество в упаковке
3000

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

S1M Обзор продукта
S1M — это универсальный дискретный выпрямительный диод, выпускаемый HXY MOSFET, предназначенный для выпрямления и защиты при высоком напряжении и малом токе. Прибор сохраняет чрезвычайно низкие характеристики утечки при обратном напряжении до 1000 В, а также обладает хорошей импульсной стойкостью и широким диапазоном рабочих температур, подходит для импульсных источников питания, высоковольтного выпрямления и защитных применений.
I. Основные параметры
Конфигурация диода: дискретный (одиночный корпус)
Прямое падение напряжения (Vf): 1,1 В @ 1 А
Постоянное обратное напряжение (Vr): 1000 В
Номинальный выпрямительный ток: 1 А
Обратный ток (Ir): 5 мкА @ 1000 В
Неповторяющийся пиковый импульсный ток (Ifsm): 30 А
Диапазон рабочей температуры перехода: -55 °C ~ +150 °C
Корпус: SOD-123F
Бренд: HXY MOSFET
II. Ключевые особенности
Высокое напряжение: обратное напряжение 1000 В позволяет напрямую применять его в высоковольтном выпрямлении, обратных схемах и высоковольтной защите.
Низкое прямое падение напряжения: 1,1 В @ 1 А показывает хорошие результаты среди аналогичных высоковольтных выпрямительных приборов, помогает снизить потери проводимости.
Низкий обратный ток утечки: 5 мкА @ 1 кВ повышает надежность и стабильность в высоковольтных, ждущих или высокоимпедансных цепях.
Пиковая импульсная способность: неповторяющийся пиковый импульсный ток 30 А может выдерживать энергию включения, короткого замыкания или внезапного импульса, но длительные или повторяющиеся воздействия должны соответствовать ограничениям импульсной энергии прибора.
III. Типичные применения
Импульсные источники питания (высоковольтные выпрямительные диоды, вторичная защита)
Высоковольтные источники постоянного тока и выпрямительные модули
Зарядные устройства аккумуляторов, схемы рекуперации энергии и защиты инверторов
Схемы обратной защиты и фиксации промышленного оборудования управления
Выпрямление и защита в дисплеях, освещении и других схемах с высоковольтным управлением
IV. Корпус и тепловое управление
Малый корпус SOD-123F удобен для поверхностного монтажа и экономит пространство печатной платы, но ограничен площадью теплоотвода; при непрерывной работе 1 А рассеиваемая мощность прибора (примерно равна If×Vf) вызовет значительное повышение температуры перехода. Рекомендуется:
При проектировании печатной платы увеличить площадь медной фольги для теплоотвода или использовать тепловой рассеивающий слой.
Для длительной работы с большим током или при высокой температуре окружающей среды рассчитать температуру перехода и соответствующим образом снизить номинальные параметры.
Обратитесь к полному datasheet для выбора подходящей компоновки корпуса с учетом теплового сопротивления и кривых снижения номинальных параметров.
V. Надежность и рекомендации по использованию
При выборе и проектировании необходимо проверить конкретные условия испытаний импульса (ширина полусинусоидальной волны и т.д.), чтобы подтвердить область применения Ifsm 30 А.
Старайтесь избегать длительной работы при максимальной температуре перехода или максимальном обратном напряжении; рекомендуется оставлять запас безопасности для повышения надежности.
Для критических применений на этапе прототипа проводите испытания температуры, срока службы и электрических нагрузок.
VI. Выбор и замена
S1M подходит для случаев, требующих сочетания высокой стойкости к напряжению и малого корпуса. При закупке подтвердите партию и записи заводского контроля; в зависимости от применения решите, нужна ли замена с более низким Vf или более высоким Ifsm. Если требуется более высокая импульсная способность или более низкое прямое падение напряжения, обратитесь к поставщику за моделями приборов с близкими характеристиками в серии и datasheet.
Итог: S1M — универсальный дискретный диод для высоковольтного выпрямления и защиты, обладающий напряжением 1000 В, выпрямительной способностью 1 А и низкой утечкой, подходит для высоковольтных схем в различных промышленных и потребительских электронных продуктах; рациональный тепловой дизайн и подходящие границы использования обеспечивают долговременную стабильную работу.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.