HXY MOSFET BC848B

BC848B Обзор продукта
I. Основные характеристики
BC848B — малосигнальный NPN-транзистор в корпусе SOT-23, подходит для маломощных и среднетоковых применений. Номинальный ток коллектора Ic составляет 100mA, максимальное напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo — 30V, рассеиваемая мощность Pd — 200mW. Коэффициент усиления по постоянному току hFE при Ic≈2mA, Vce=5V типово равен 200, граничная частота fT около 100MHz, подходит для высокочастотного усиления и переключения.
II. Ключевые электрические параметры
Тип: NPN
Максимальный ток коллектора (Ic): 100mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 30V
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200mW (корпус SOT-23)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): около 200 (при Ic=2mA, Vce=5V)
Граничная частота (fT): ≈100MHz
Ток отсечки коллектора (Icbo): около 100nA (малая статическая утечка)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): около 500mV (в типовых условиях)
Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo): 6V
III. Основные преимущества
Высокий коэффициент усиления: высокий hFE в рабочей точке малого тока, удобен как входной усилитель или элемент усиления напряжения.
Хорошие высокочастотные характеристики: fT 100MHz поддерживает требования усиления VHF и общего радиочастотного фронтенда.
Низкая утечка: низкий Icbo благоприятен для высокоимпедансных схем и контроля низкочастотного дрейфа.
Малый корпус: SOT-23 подходит для плотной компоновки PCB и автоматического монтажа.
IV. Типовые применения
Малосигнальные усилители (аудио предусилители, каскады усиления)
Высокоскоростные переключательные и импульсные схемы
Преобразование уровней и логическое управление (управление малосигнальными реле или LED)
Смесительные или предусилительные каскады коммуникационного оборудования (необходимо учитывать границы мощности и частоты)
V. Корпус и тепловое управление
SOT-23 при Pd=200mW имеет относительно высокое тепловое сопротивление; при практическом использовании следует учитывать распределение мощности и теплоотвод PCB. Рекомендуется использовать большую площадь медной фольги, заземляющие медные площадки или тепловые переходные отверстия для снижения температуры перехода. При непрерывной работе следует по возможности избегать одновременного появления максимального Ic и максимального Vce, чтобы не превысить ограничение рассеивания.
VI. Рекомендации по использованию
Рабочее напряжение не должно приближаться к 30V Vceo или превышать его, чтобы предотвратить отказ из-за пробоя; напряжение база-эмиттер также не должно превышать 6V (Vebo).
При использовании в качестве ключа обеспечить достаточный ток управления базы для снижения VCE(sat) и скорректировать токоограничивающий резистор базы в соответствии с условиями производителя.
В высокочастотных применениях обращать внимание на компоновку, сокращать входные/выходные дорожки, использовать развязывающие конденсаторы для уменьшения паразитной обратной связи.
VII. Выбор и меры предосторожности
Данный продукт поставляется под брендом HXY MOSFET; одноименные модели на рынке могут иметь различия в параметрах, при выборе следует руководствоваться техническим описанием производителя, проверять порядок выводов и условия тестирования. Для критичных применений рекомендуется провести тестирование образцов для проверки усиления, напряжения насыщения и термической стабильности.