HXY MOSFET HBZT52C247F

HBZT52C247F Обзор продукта
I. Введение в продукт
HBZT52C247F — это отдельный маломощный стабилитрон, выпускаемый HXY MOSFET, с номинальным напряжением стабилизации 24 В, в корпусе SOD-123. Устройство подходит для поверхностного монтажа в условиях ограниченного пространства и используется для простой стабилизации питания, опорного напряжения и защиты от перенапряжения.
II. Основные электрические параметры
Напряжение стабилизации (номинальное): 24 В
Диапазон напряжения стабилизации: от 22,8 В до 25,2 В (±5%)
Обратный ток Ir: 1 мкА при 17 В
Рассеиваемая мощность Pd: 500 мВт (типовая, при 25 °C)
Динамическое сопротивление Zzt: 23,7 Ом; сопротивление в точке перегиба Zzk: 66,5 Ом
Диапазон рабочей температуры перехода: от -40 °C до +125 °C
Приведённые параметры являются типовыми/номинальными; при выборе обращайтесь к полному техническому описанию с условиями тестирования.
III. Характеристики и преимущества
Малый корпус SOD-123, удобен для высокоплотного поверхностного монтажа и автоматизированного производства.
Точность стабилизации ±5% удовлетворяет общим задачам опорного напряжения и защиты.
Низкий обратный ток утечки, что благоприятно для маломощных применений.
Низкое динамическое сопротивление, в области стабилизации обеспечивает достаточно стабильный источник напряжения.
IV. Типовые области применения
Параллельная стабилизация (шунтирующий стабилизатор) или источник опорного напряжения в маломощных источниках питания.
Ограничение перенапряжения и поглощение импульсов в промышленном управлении и коммуникационном оборудовании.
Инструментальные усилители и схемы опорного уровня.
Схемы защиты портативных устройств с малым потреблением и ограниченным объёмом.
V. Корпус и тепловой менеджмент
SOD-123 — малый пластиковый корпус с относительно высоким тепловым сопротивлением. Номинальная рассеиваемая мощность 500 мВт обычно задаётся при температуре окружающей среды 25 °C; рекомендуется линейное снижение нагрузки до 125 °C (обычная практика): на каждый 1 °C повышения номинальная мощность снижается примерно на 5 мВт. В реальном проектировании следует оставлять запас, при необходимости использовать медную фольгу печатной платы в качестве теплоотвода или применять более мощные устройства для обеспечения надёжности.
VI. Ключевые моменты применения и рекомендации по выбору
При расчёте схемы стабилизации убедитесь, что ток стабилизации находится в заданном тестовом/рабочем диапазоне устройства, чтобы параметры напряжения стабилизации и динамического сопротивления соответствовали требованиям.
Учитывайте снижение рассеиваемой мощности и температуры окружающей среды, избегайте длительной работы при номинальной Pd.
Если требуется более точное опорное напряжение или большая мощность, выбирайте устройства с меньшим допуском или более высокой мощностью.
В условиях, чувствительных к импульсам или высокочастотным помехам, используйте совместно с токоограничивающим резистором или подавляющим конденсатором для улучшения отклика.
VII. Заключение
HBZT52C247F — это стабилитрон на 24 В для общих применений, благодаря малому корпусу и стабильным электрическим характеристикам подходит для чувствительных к стоимости и ограниченных по пространству применений стабилизации и защиты. В реальном проектировании следует уделять особое внимание снижению мощности и тепловому менеджменту для обеспечения долговременной надёжной работы в целевых условиях.