HXY MOSFET US1M

US1M Обзор продукта
I. Введение
US1M — дискретный быстровосстанавливающийся/высокоэффективный диод, выпускаемый HXY MOSFET, в корпусе SMA, номинальный выпрямленный ток 1 А, постоянное обратное напряжение до 1 кВ. Прибор предназначен для выпрямления и защиты в высоковольтных схемах со средней частотой переключения, сочетает потери включения и характеристики обратного восстановления, подходит для высоковольтных импульсных источников питания, силового выпрямления и защитных цепей.
II. Основные параметры
Прямое падение напряжения (Vf): 1,7 В при IF = 1 А
Постоянное обратное напряжение (VR): 1000 В
Средний выпрямленный ток: 1 А (ограничен теплоотводом корпуса SMA)
Обратный ток утечки (IR): 5 мкА при VR = 1 кВ
Время обратного восстановления (Trr): 75 нс
Неповторяющийся импульсный ток (Ifsm): 30 А
Диапазон рабочей температуры перехода: -55°C ~ +150°C (Tj)
Корпус: SMA, дискретный одиночный диод
III. Характеристики
Высокое напряжение: номинал 1 кВ удовлетворяет требованиям высоковольтного выпрямления и блокировки, подходит для высоковольтных источников питания и защитной блокировки.
Низкая утечка: при полном напряжении обратный ток всего 5 мкА, что снижает статическое потребление и тепловую нагрузку.
Средне-быстрое восстановление: Trr 75 нс обеспечивает низкие потери переключения и помехи в большинстве режимов, но в сверхвысокочастотных применениях рекомендуется использовать с демпфирующей цепью.
Преимущество корпуса: малый размер SMA подходит для плат с ограниченным пространством, удобен для автоматического монтажа и массового производства.
IV. Типовые применения
Высоковольтное выпрямление и рекуперация в импульсных источниках питания (SMPS).
Высоковольтный выпрямительный блок в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC).
Ограничительный/защитный диод в инверторах и драйверах.
Выпрямление и защита в высоковольтных источниках питания, зарядных устройствах, промышленных источниках.
V. Корпус и тепловой режим
SMA — малогабаритный корпус для поверхностного монтажа, теплоотвод ограничен; на практике следует предусмотреть достаточную медную площадь (теплоотводящую фольгу) на печатной плате для снижения температуры перехода. Непрерывный рабочий ток следует снижать в зависимости от температуры окружающей среды и условий теплоотвода на плате. Для периодических больших импульсов Ifsm=30 А выдерживает кратковременные воздействия, но необходимо разумно оценить длительность импульса и частоту повторения.
VI. Рекомендации по применению и выбору
Если требуется более низкое прямое падение для снижения потерь проводимости (например, в низковольтных сильноточных применениях), можно рассмотреть модели Шоттки; однако выбор Шоттки при высоком напряжении (1 кВ) ограничен.
В быстрых переключающих применениях (высокое dv/dt или высокая частота) рекомендуется использовать RC-демпфер или TVS для подавления отражений и выбросов, снижения EMI и нагрузок.
Рекомендуется соблюдать нормы пайки оплавлением J-STD-020/IPC/JEDEC, избегая превышения тепловых пределов корпуса и подложки.
VII. Закупка и надёжность
Бренд: HXY MOSFET. Как дискретный быстровосстанавливающийся диод, US1M имеет хорошее соотношение цена-качество в высоковольтных сценариях с низкой утечкой и средним обратным восстановлением. При закупке проверяйте партию и протоколы испытаний поставщика, оставляйте достаточный запас при проектировании для долговременной надёжности.