WMSIC Электронные компоненты

HXY MOSFET 2N2222A

Модель2N2222A
КорпусTO-92
БрендHXY MOSFET
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
HXY MOSFET 2N2222A
Тип
HXY MOSFET
Минимальная упаковка
1000 袋装

Технические параметры

Упаковка
Пакет
Бренд
HXY MOSFET
Модель
2N2222A
Шаг
1
Корпус
TO-92
Количество
1 NPN
Категория
Транзистор (BJT)
Вес
0.177g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0258661710
Рабочая температура
55℃~+150℃
Тип транзистора
NPN
Граничная частота (fT)
300MHz
Рассеиваемая мощность (Pd)
625mW
Минимальная упаковочная единица
Пакет
Минимальное количество в упаковке
1000

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

2N2222A Обзор продукта — HXY MOSFET, корпус TO-92
I. Обзор
2N2222A — это универсальный NPN биполярный транзистор, подходящий для коммутации и усиления. Данная модель поставляется в пластиковом корпусе TO-92, имеет ток коллектора 600 мА, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 40 В и высокие частотные характеристики (fT≈300 МГц), стабильно и надежно работает в малогабаритных и экономичных приложениях, часто используется в маломощных драйверах, преобразователях уровня и высокоскоростных коммутационных схемах.
II. Основные параметры
Тип транзистора: NPN (BJT)
Максимальный ток коллектора Ic: 600 мА
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 40 В
Номинальная рассеиваемая мощность Pd (TO-92, нормальные условия): 625 мВт
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: около 300 (условия измерения: Ic=150 мА, Vce=10 В)
Граничная частота fT: 300 МГц (подходит для быстрого переключения)
Ток отсечки коллектора Icbo: ≈10 нА (при комнатной температуре)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 600 мВ (при большом токе, например, IC≈500 мА; при малом токе ниже)
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 6 В
Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C
Корпус: TO-92; количество: 1 шт.
III. Особенности и преимущества
Хорошие высокочастотные характеристики: fT ≈ 300 МГц, подходит для приложений, требующих быстрого переключения или ВЧ-каскадов.
Высокий коэффициент усиления: hFE до ~300 при средних и больших токах, что позволяет снизить мощность управления базой.
Низкий ток утечки: Icbo около 10 нА, что позволяет поддерживать низкую утечку в высокоомных или ждущих схемах.
Зрелая технология, низкая стоимость: малый корпус TO-92 удобен для ручной пайки и быстрого прототипирования.
Широкий температурный диапазон: соответствует промышленным требованиям, высокая применимость.
IV. Типичные применения
Коммутация постоянного тока/импульсов: реле, драйверы реле, маломощные двигатели.
Усилители: малошумящее усиление, предусилители, каскады усиления аналоговых схем.
Преобразование уровня и буферизация: интерфейсы логических сигналов, усиление тока и драйверы.
Высокоскоростные коммутационные схемы и формирование импульсов: благодаря хорошему частотному отклику могут использоваться в схемах переключения на МГц.
Общее электронное обучение и прототипирование: часто используется в макетных платах и образовательных демонстрациях.
V. Рекомендации по использованию и меры предосторожности
Тепловое управление: рассеиваемая мощность корпуса TO-92 ограничена (Pd≈625 мВт), при высоком Ic или непрерывной работе следует обращать внимание на теплоотвод и ограничение тока, при необходимости снижать коэффициент заполнения или использовать корпус с большей рассеиваемой мощностью.
Проектирование драйвера: хотя hFE высок при средних и больших токах, не следует слепо полагаться на высокий коэффициент усиления в области насыщения; при управлении базой рекомендуется задавать соответствующий ток базы в зависимости от требуемого IC и VCE(sat) (обычно IB ≈ IC/10 или корректировать по требованиям насыщения).
Предельные напряжения и защита от обратного напряжения: Vebo≈6 В, обратное напряжение база-эмиттер низкое, избегайте подачи большого обратного напряжения на базу-эмиттер; в схеме можно добавить токоограничивающий или защитный диод.
Проверка выводов: расположение выводов TO-92 немного различается у разных производителей, обычно при плоской стороне вперед слева направо E-B-C, но перед подключением следует руководствоваться техническим описанием HXY.
VI. Информация о корпусе и закупке
Форм-фактор: пластиковый TO-92 для монтажа в отверстия, подходит для ручной пайки и монтажа на печатную плату.
Бренд: HXY MOSFET.
Рекомендуется на этапах закупки и проектирования обращаться к полному техническому описанию производителя для уточнения расположения выводов, тепловых сопротивлений и типовых кривых, чтобы обеспечить надежность схемы.
Итог: 2N2222A (TO-92) от HXY демонстрирует сбалансированные характеристики в маломощных коммутационных и среднечастотных усилительных приложениях, сочетая высокий коэффициент усиления и хороший частотный отклик, является распространенным выбором для экспериментов, обучения и промышленных применений с малой нагрузкой.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.