Hottech BC847B

BC847B — маломощный NPN-транзистор

BC847B — маломощный NPN-биполярный транзистор (BJT) в корпусе SOT-23.

Основные характеристики:
• Максимальный ток коллектора Ic: 100 mA
• Напряжение пробоя коллектор–эмиттер VCEO: 45 V
• Рассеиваемая мощность Pd: 200 mW в корпусе SOT-23
• Коэффициент передачи постоянного тока hFE: около 800 при Ic=2 mA, VCE=5 V (область высокого усиления)
• Частота перехода fT: 100 MHz
• Обратный ток коллектора Icbo: около 100 nA
• Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat): около 500 mV при Ic=100 mA, Ib=5 mA
• Напряжение пробоя эмиттер–база VEBO: 6 V

При малом токе, например Ic≈2 mA, транзистор обеспечивает высокий коэффициент передачи тока. Частота перехода 100 MHz подходит для усиления и переключения от низких до более высоких частот. Напряжение VCEO=45 V позволяет использовать устройство в цепях среднего напряжения; низкий Icbo способствует снижению тока утечки покоя.

Типовые применения: усилители малых сигналов для датчиков и аудиокаскадов; ключи с малым током для небольших реле; логические преобразователи и сдвиг уровня; входные каскады для цепей связи и высокочастотных сигналов; портативные устройства и приборы с батарейным питанием; управление LED с малым током, переключение и буферизация опорных цепей.

Корпус SOT-23 имеет ограниченную способность рассеивать тепло. Учитывайте предел Pd=200 mW, избегайте длительной работы с большим током и высоким VCE. Для улучшения теплоотвода увеличьте площадь меди на плате и при необходимости соедините её переходными отверстиями с внутренними слоями. При выборе режима обеспечьте, чтобы температура перехода оставалась в допустимом диапазоне при максимальной температуре окружающей среды.

Для работы в области высокого усиления предпочтителен ток Ic≈1–5 mA; фактический hFE зависит от разброса параметров. При использовании в качестве ключа обеспечьте достаточный ток базы для насыщения согласно соотношению Ib и Ic из спецификации. Учитывайте VEBO≈6 V и не превышайте VCEO=45 V. Корпус SOT-23 подходит для автоматизированного поверхностного монтажа; согласуйте расположение выводов с посадочным местом платы. При строгих требованиях к стабильности усиления проведите выборочную проверку партии, поскольку hFE меняется между партиями и с температурой. При превышении предельных значений тока или мощности выберите транзистор с более высокой допустимой мощностью или лучшими тепловыми характеристиками.