Hottech B772

B772 — биполярный транзистор PNP

B772 — маломощный транзистор PNP с высоким коэффициентом усиления в корпусе SOT-89-3. Предназначен для схем с ограниченным пространством, где требуется переключение или усиление. Подходит для работы при напряжении до 30V и в схемах со средними импульсными токами; типовые применения включают верхний ключ портативных устройств, драйверы и маломощные усилители.

Основные параметры
Тип транзистора: PNP
Максимальный ток коллектора Ic: 3A (импульсный или кратковременный режим; учитывайте ограничения по теплоотводу)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 30V
Рассеиваемая мощность Pd: 500mW
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: около 160 при Ic=1A и Vce=2V
Частота единичного усиления fT: около 50MHz
Ток отсечки коллектора Icbo: около 1µA (типовое значение)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 500mV при Ic≈2A и Ib≈0.2A
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 6V
Корпус: SOT-89-3

Электрические характеристики и рекомендации
Максимальное значение Vceo составляет 30V. Поддерживайте запас по рабочему напряжению.
Предельная рассеиваемая мощность составляет 500mW. При большом токе коллектора допустимое падение напряжения мало: например, при Pd=500mW и Ic=2A Vce ≤ 0.25V. Для больших токов используйте режим насыщения с малым Vce либо кратковременные импульсы и учитывайте теплоотвод.
VCE(sat) составляет около 0.5V при большом токе управления. Для снижения потерь проводимости используйте параллельные транзисторы либо транзистор с меньшим напряжением насыщения.
Vebo составляет 6V. Ограничивайте обратное напряжение база-эмиттер; для защиты можно применить ограничительный резистор в цепи базы или элемент обратного ограничения.
Ток отсечки коллектора около 1µA. При повышенной температуре ток утечки заметно возрастает.

Типовые применения
Верхний ключ малой мощности в цепи положительного питания.
Управление малым реле или управление базой/затвором силового транзистора в качестве промежуточного усилителя или преобразователя уровня.
Предварительное усиление звуковых сигналов и усиление сигналов промежуточной частоты; fT=50MHz обеспечивает полосу до десятков MHz.
Зеркала тока, массивы ключей, защитные и управляющие цепи портативной электроники.

Рекомендации по проектированию
Для корпуса SOT-89-3 проверьте расположение выводов по документации на компонент.
Для работы в режиме насыщения при Ic=2A и Ib=0.2A требуется значительный ток базы. Выберите резистор базы с учетом целевого Ic либо используйте драйверный каскад.
Увеличьте площадь меди PCB для теплоотвода; при необходимости подключите ее к общему или питающему полигону для снижения температуры перехода.
Не допускайте превышения обратного напряжения база-эмиттер 6V; можно использовать параллельный диод.
При параллельном включении транзисторов предусмотрите выравнивание токов и тепловой режим, учитывая тепловой разбег и неравномерность распределения тока.

Корпус и надежность
Корпус SOT-89-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMT) и подходит для PCB средней плотности.
Соблюдайте стандартные требования к пайке оплавлением и защиту от ESD при хранении и сборке.
Параметры hFE и Icbo зависят от температуры. Учитывайте температурный дрейф и запас по максимальной температуре перехода при моделировании и испытаниях.