Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Infineon IRFL4310TRPBF
Configuration
1 options
Configuration
Electronic Component
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
20
характеристик
Основная информация
- Название товара
- Infineon IRFL4310TRPBF
- Тип
- INFINEON
- Единица
- Электронный компонент
- Минимальная упаковка
- 2500 圆盘
Технические параметры
- Упаковка
- Лента
- Единица измерения
- шт.
- Бренд
- INFINEON
- Модель
- IRFL4310TRPBF
- Шаг
- 1
- Корпус
- SOT-223
- Количество
- 1 N-канальный
- Тип
- N-канальный
- Категория
- Полевой транзистор (MOSFET)
- Вес
- 0.194g
- Минимальный заказ
- 1
- Артикул
- BM0225926688
- Рассеиваемая мощность (Pd)
- 2.1W
- Минимальная упаковочная единица
- Диск
- Минимальное количество в упаковке
- 2500
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- 100V
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
产品概述：IRFL4310TRPBF
IRFL4310TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，由知名供应商英飞凌（Infineon）生产。该器件专为高效功率管理和开关应用设计，具有优异的电气性能和可靠性，其主要应用领域包括电源转换、电机驱动、开关电源及各种需要高速切换的电子系统中。
基本参数
- FET 类型与技术：IRFL4310TRPBF为N通道MOSFET，采用金属氧化物半导体技术制造，具有良好的导通性能和高输入阻抗特性。
- 电压与电流规格：该器件的漏源电压（Vdss）为100V，支持连续漏极电流（Id）达到1.6A，确保其在高压和中等电流应用场景中的优越性能。
- 导通电阻：在10V的栅源电压（Vgs）和1.6A的漏极电流条件下，IRFL4310TRPBF的最大导通电阻（Rds(on)）仅为200毫欧，这使得其在低功耗和低热量损耗方面表现优异。
- 栅极阈值电压：Vgs(th)的最大值为4V（在250µA的条件下），意味着该器件在较低的栅源电压下即可开始导通，适合低压驱动应用。
- 栅极电荷特性：在10V的Vgs条件下，其最大栅极电荷（Qg）为25nC，这表示其在开关操作时保持较低的驱动功耗，适用于高频率开关工作。
- 输入电容：在25V的Vds下，输入电容（Ciss）为330pF，提供良好的输入响应特性，适合高速电路设计。
- 功率耗散与温度范围：最大功率耗散为1W（在环境温度Ta下），工作温度范围广泛，从-55°C至150°C，显示出该器件在严格环境条件下的稳定性和适用性。
封装与安装
IRFL4310TRPBF采用SOT-223封装，这种表面贴装类型的设计使其容易集成到现代电子电路板上。该封装不仅占用空间小，同时也有助于散热配合，为电路提供了良好的散热条件。
应用领域
得益于其卓越的电气性能，IRFL4310TRPBF广泛应用于多个领域：
- 开关电源：可以作为开关元件使用，使得电源转换效率显著提升。
- 电机驱动：在消费电子、电动车及工业自动化设备中，可以有效驱动各种类型的电机。
- LED驱动：适合用于LED照明项目，实现高效的驱动控制。
- 便携式电子设备：由于其高效的性能，适用于需要小型、高效电源管理方案的便携式电子设备。
总结
总的来说，IRFL4310TRPBF是一款可靠而高效的N沟道MOSFET，适用于各种需要高电压和中等电流的应用。其低导通电阻、高阈值电压和良好的热性能，使其成为众多电子设计工程师的首选元器件。无论是在功率转换、电机控制还是高频开关应用方面，该器件都能满足严苛的要求，是现代电子设计不可或缺的基础元件之一。
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
