Infineon BSC014N04LSIATMA1

Обзор: BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1 — высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для различных приложений с быстрым переключением. Сочетание низкого сопротивления открытого канала и хороших характеристик переключения делает его подходящим для современных электронных схем.

Основные параметры и характеристики

Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором)
Напряжение сток–исток (Vdss): 40V
Непрерывный ток стока (Id) при 25°C:
31A (Ta)
100A (Tc)
Напряжение управления:
Минимальное напряжение затвора (Vgs) при максимальном Rds On: 4.5V
Максимальное напряжение затвора (Vgs) при максимальном Rds On: 10V
Сопротивление открытого канала (Rds(on)):
Максимум 1.45 миллиом при 50A, 10V
Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)):
Максимум 2V при 250µA
Заряд затвора (Qg):
Максимум 55nC при 10V
Входная емкость (Ciss):
Максимум 4000pF при 20V
Рассеиваемая мощность (Pd):
Максимум 2.5W (Ta)
Максимум 96W (Tc)
Диапазон рабочих температур:
От -55°C до 150°C (температура перехода, TJ)
Монтаж: поверхностный
Корпус компонента: PG-TDSON-8 FL
Корпус: 8-PowerTDFN

Характеристики

Низкое сопротивление открытого канала Rds(on) и хорошие характеристики переключения подходят для эффективного управления питанием и приводами двигателей. Низкое сопротивление помогает уменьшить потери мощности при высокой нагрузке. Быстрое переключение поддерживает работу на высоких частотах, в том числе в импульсных источниках питания, преобразователях DC-DC и схемах, требующих быстрого отклика.

Области применения

Импульсные источники питания (SMPS)
Преобразователи DC-DC
Управление питанием электроинструментов
Инверторы и приводы двигателей
Преобразование питания в телекоммуникационном оборудовании

BSC014N04LSIATMA1 — N-канальный MOSFET с низким сопротивлением открытого канала и характеристиками переключения, подходящими для широкого спектра электронных устройств.