Infineon BSC059N04LSG

BSC059N04LSG — N-канальный MOSFET обогащённого типа Infineon в корпусе TDSON-8 (5×6). Номинальное напряжение сток—исток составляет 40V. При VGS=10V сопротивление открытого канала RDS(on)=5.9mΩ. Устройство предназначено для импульсных источников питания, синхронного выпрямления и компактных систем управления питанием.

Основные электрические параметры:

Напряжение сток—исток Vdss: 40V.
Непрерывный ток стока Id: 73A.
Сопротивление открытого канала RDS(on): 5.9mΩ при VGS=10V.
Рассеиваемая мощность Pd: 50W.
Пороговое напряжение VGS(th): 2V при ID=23µA.
Полный заряд затвора Qg: 40nC при VGS=10V.
Входная ёмкость Ciss: 3.2nF; выходная ёмкость Coss: 720pF; ёмкость обратной передачи Crss: 28pF.
Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃.

Корпус TDSON-8 (5×6) предназначен для поверхностного монтажа и имеет тепловую площадку. Для снижения теплового сопротивления используйте тепловую площадку на плате, несколько тепловых переходных отверстий и внутренние медные слои. Сократите длину проводников у выводов MOSFET, чтобы уменьшить паразитную индуктивность, потери при переключении и звон. При высокой мощности проектируйте теплоотвод и снижение допустимой мощности с учётом тепловых параметров устройства.

Заряд затвора Qg≈40nC требует драйвера с достаточным пиковым током для быстрого переключения. Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10V. Последовательный резистор затвора 5–22Ω помогает подавлять звон, управлять dV/dt и ограничивать пиковый ток; при параллельном включении подбирайте согласованные сопротивления. В среде с высоким dV/dt можно использовать буферный драйвер или RC-демпфирующую цепь. Для защиты от переходного перенапряжения при необходимости применяйте TVS или цепь ограничения напряжения.

Типичные применения: синхронное выпрямление и понижающие преобразователи DC–DC, ключи нагрузки, управление питанием и распределением питания, входные каскады управления двигателями, источники питания для коммуникационного и промышленного оборудования с номиналом 40V.

При высокой температуре или импульсных нагрузках снижайте допустимые ток и мощность согласно документации. Соблюдайте требования ESD и технологию пайки SMT оплавлением. При параллельном включении учитывайте согласование RDS(on), распределение тока и тепла.