Infineon BSZ096N10LS5ATMA1

BSZ096N10LS5ATMA1 — MOSFET с N-каналом Infineon OptiMOS™ 5

Описание
BSZ096N10LS5ATMA1 — силовой MOSFET с N-каналом серии Infineon OptiMOS™ 5 с низким сопротивлением и низкими потерями переключения, предназначенный для эффективных систем управления питанием высокой плотности. Корпус TSDSON-8 (корпус производителя PG-TSDSON-8-FL). Поставка в ленте (TR) для поверхностного монтажа. Статус устройства: активное.

Основные электрические параметры
Напряжение сток–исток Vdss: 100 V
Непрерывный ток стока Id (Tc): 40 A
Максимальная рассеиваемая мощность Pd (Tc): 69 W
Максимальное напряжение затвор–исток Vgs: ±20 V; пороговое напряжение Vgs(th) ≤ 2.3 V (@ 36 µA)
Сопротивление открытого канала Rds(on) (максимум): 9.6 mΩ при Vgs=10 V, Id=20 A
Входная емкость Ciss (максимум): 2100 pF (@ Vds=50 V)
Заряд затвора Qg (максимум): 22 nC (@ Vgs=10 V)
Рабочая температура перехода: -55 °C ~ 150 °C (TJ)

Особенности
Низкое сопротивление открытого канала снижает потери проводимости и подходит для токовых цепей среднего и высокого уровня.
Умеренный заряд затвора и высокая входная емкость обеспечивают баланс скорости переключения и энергопотребления драйвера, что способствует повышению эффективности повышающих и понижающих преобразователей и синхронных выпрямителей.
Компактный корпус TSDSON упрощает согласование тепловых характеристик и разводки печатной платы в конструкциях высокой плотности.

Типовые применения
Синхронное выпрямление и выходные каскады импульсных источников питания (SMPS), понижающие и повышающие DC–DC-преобразователи
Модули управления питанием серверов, телекоммуникационного оборудования и потребительской электроники
Приводы двигателей и промышленные системы питания при надлежащем тепловом проектировании

Корпус и выбор компонента
Устройство предназначено для поверхностного монтажа в корпусе TSDSON-8 (PowerTDFN 8) и подходит для пайки оплавлением. Для реализации номиналов 40 A и 69 W (Tc) следует обеспечить тепловой отвод с помощью тепловых переходных отверстий в плате и достаточной площади меди. Рекомендуемое напряжение управления составляет 10 V для достижения указанного низкого Rds(on); не превышайте предел ±20 V для напряжения затвор–исток.
Для окончательного проектирования схемы и теплового моделирования следует использовать графики параметров и механический чертеж корпуса из технического описания Infineon.