Infineon BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1 — сдвоенный MOSFET, содержащий один N-канальный и один P-канальный транзистор. Предназначен для низковольтных цепей управления питанием и коммутации класса 20V. Диапазон рабочих температур — -55℃–+175℃. Компактный корпус подходит для применения в условиях ограниченного пространства.

Структура: 1×N-канальный + 1×P-канальный транзистор.
Напряжение сток–исток Vdss = 20V.
Корпус TSDSON-8 с низкой паразитной индуктивностью и тепловой площадкой.

Электрические параметры в порядке N-канальный / P-канальный:
Сопротивление открытого канала RDS(on) при 4.5V: 150 mΩ / 55 mΩ.
Непрерывный ток стока Id: 3.2 A / 5.1 A.
Напряжение сток–исток Vdss: 20 V, общее значение.
Пороговое напряжение Vgs(th) при 110 μA: 1.0 V / 1.1 V.
Полный заряд затвора Qg при 4.5V: 3.0 nC / 2.1 nC.
Входная ёмкость Ciss: 270 pF / 315 pF.
Выходная ёмкость Coss: 110 pF / 114 pF.
Ёмкость обратной передачи Crss: 94 pF / 16 pF.
Рассеиваемая мощность Pd: 2.5 W.

Тепловая площадка корпуса позволяет отводить тепло через нижний контакт. Для улучшения теплоотвода рекомендуется использовать медные слои и тепловые переходные отверстия.

Типовые применения: управление питанием портативных устройств, ключи нагрузки, двунаправленное управление током, аналоговые ключи, синхронное выпрямление в низковольтных преобразователях DC-DC и комплементарные двухтактные схемы.

При проектировании учитывайте заряд затвора Qg и подбирайте драйвер либо последовательный резистор затвора для снижения звона. Для силовых цепей используйте широкие медные дорожки и несколько переходных отверстий. В высокочастотных схемах учитывайте влияние Coss и Crss на потери при переключении.