Infineon BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1 — двухканальный силовой MOSFET с N-каналом производства Infineon в корпусе TDSON-8. Предназначен для эффективной коммутации при низком и среднем напряжении; отличается низким сопротивлением открытого канала и низкими паразитными емкостями. Рабочий диапазон температур: -55℃ ~ +150℃.

Основные параметры:
Напряжение сток–исток (Vdss): 30 V
Количество каналов: 2, N-канальные
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 15 mΩ @ VGS = 10 V
Непрерывный ток стока (Id): 20 A (номинальные условия)
Рассеиваемая мощность (Pd): 26 W
Пороговое напряжение затвор–исток (VGS(th)): 2.2 V @ 250 µA
Полный заряд затвора (Qg): 13.2 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss): 1.1 nF
Выходная емкость (Coss): 470 pF
Емкость обратной передачи (Crss / Crss): 16 pF
Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃
Корпус: TDSON-8

При VGS = 10 V сопротивление RDS(on) составляет 15 mΩ. Заряд затвора Qg = 13.2 nC следует учитывать при высокочастотной коммутации из-за энергии управления и потерь переключения. Значения Ciss (1.1 nF) и Coss (470 pF) характеризуют распределение заряда при переключении; Crss (16 pF) влияет на эффект Миллера и переходные процессы.

Корпус TDSON-8 имеет компактные размеры и обеспечивает тепловой путь к PCB. При рассеиваемой мощности 26 W требуется эффективный теплоотвод через площадку, тепловые переходные отверстия или радиатор. Следует обеспечить достаточную площадь нижней тепловой площадки и ограничить нагрев PCB.

Типичные области применения:
Синхронное выпрямление и понижающие DC-DC преобразователи
Управление питанием и ключи нагрузки
Управление электродвигателями и мостовые схемы, включая полумостовые
Автомобильные и промышленные модули питания

Рекомендации по проектированию:
Для достижения минимального RDS(on) рекомендуется VGS = 10 V; при необходимости последовательно с затвором устанавливают резистор для подавления звона.
При расчете учитывайте Qg и Coss, энергию управления и потери переключения; при необходимости оптимизируйте снаббер и время dead time.
На PCB предусмотрите большую тепловую площадку, короткую цепь тока и подходящие развязывающие конденсаторы у узла коммутации для снижения паразитной индуктивности.
При высокой мощности рекомендуется предусмотреть точки измерения температуры или тепловую защиту.