Infineon IRLZ44NSTRLPBF

IRLZ44NSTRLPBF — обзор продукта

Описание
IRLZ44NSTRLPBF — силовой MOSFET с N-каналом и индуцированным каналом от Infineon, выполненный в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа и повышенной мощности. Компонент предназначен для низко- и средневольтных схем с большим током. Низкое сопротивление во включённом состоянии и умеренный заряд затвора делают его подходящим для силовых ключей, приводов, импульсных источников питания и управления двигателями.

Основные электрические параметры
Напряжение сток–исток Vdss: 55 V
Непрерывный ток стока Id: 47 A
Сопротивление во включённом состоянии RDS(on): 22 mΩ @ VGS = 10 V (при токе 25 A)
Пороговое напряжение VGS(th): около 1 V
Полный заряд затвора Qg: 48 nC (типовое значение)
Входная ёмкость Ciss: 1.7 nF
Ёмкость обратной передачи Crss (ёмкость Миллера): 150 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 3.8 W (существенно зависит от корпуса и условий теплоотвода)
Количество: 1 MOSFET с N-каналом

Особенности и преимущества
Низкие потери проводимости: RDS(on) 22 mΩ при управлении 10 V снижает потери в цепях с большим током и низким падением напряжения.
Диапазон рабочих температур от -55 ℃ до +175 ℃ подходит для эксплуатации в сложных условиях.
Корпус D2PAK подходит для автоматизированного поверхностного монтажа и разводки PCB с теплоотводом.
Заряд затвора Qg=48 nC соответствует умеренным требованиям к драйверу и обеспечивает баланс скорости переключения и энергопотребления управления.

Типичные области применения
Синхронные понижающие преобразователи / DC-DC-преобразователи (основной ключ или синхронный выпрямитель)
Приводы двигателей и ключи H-мостов для двигателей малой и средней мощности
Ключи нагрузки, замена реле и подсистемы автомобильной электроники при соблюдении требований к температуре и электромагнитной совместимости
ИБП, инверторы и другие силовые модули для работы с большим током

Рекомендации по проектированию и применению
Для использования низкого RDS(on) при включении рекомендуется напряжение управления затвором около 10 V. При логическом управлении 5 V следует проверить влияние сопротивления во включённом состоянии на потери системы.
Заряд затвора Qg=48 nC требует достаточного тока управления для достижения заданной скорости переключения. При выборе драйвера следует учитывать пиковый ток и быстродействие.
Pd=3.8 W указывает на ограниченную допустимую мощность без дополнительного теплоотвода. Для снижения температуры перехода и повышения долговременной надёжности рекомендуется использовать медную площадку большой площади, теплоотводящую площадку или внешний радиатор.
Crss=150 pF влияет на переходные процессы переключения (эффект Миллера). При быстром переключении следует подобрать последовательный резистор затвора (типично 5–20 Ω с учётом требований системы и EMI) и обеспечить хорошую компоновку цепи развязки для контроля звона и выбросов напряжения.
В практической схеме рекомендуется использовать TVS, управление с ограничением скорости нарастания или ограничение тока с помощью датчика, чтобы предотвратить повреждение компонента из-за перенапряжения или короткого замыкания.

Примечания и надёжность
Номинальные параметры обычно измеряются при заданных условиях, например Tj=25 ℃. При повышении температуры перехода RDS(on) и Pd существенно меняются, поэтому при проектировании следует предусмотреть запас.
Корпус D2PAK упрощает пайку и теплоотвод, а тепловое сопротивление и долговременная надёжность компонента заметно зависят от процесса пайки, температуры оплавления и конструкции медной теплоотводящей области.
При высокочастотном переключении или циклической работе под нагрузкой следует учитывать термоциклирование компонента и ограничения SOA (безопасной рабочей области), а также руководствоваться документацией и рекомендациями по применению Infineon.

IRLZ44NSTRLPBF — MOSFET с N-каналом для низко- и средневольтных схем с большим током, низким сопротивлением во включённом состоянии и широким диапазоном рабочих температур. Корректное управление затвором и эффективный теплоотвод обеспечивают работу в импульсных источниках питания, приводах и силовых ключах. Для подробных электрических характеристик и чертежа корпуса следует обратиться к актуальной документации производителя.