Infineon IPD50R380CE

IPD50R380CE — силовой MOSFET с одним N-каналом от Infineon, корпус PG-TO-252 (DPAK). Рассчитан на коммутацию среднего и высокого напряжения; напряжение сток–исток составляет 500 V. Низкое сопротивление открытого канала и умеренный заряд затвора делают его подходящим для автономных импульсных источников питания, схем коррекции коэффициента мощности (PFC), обратноходовых и прямоходовых преобразователей, а также инверторов малой и средней мощности. Рассеиваемая мощность — 98 W; диапазон рабочих температур — от -55℃ до +150℃.

Основные электрические параметры:
Тип: N-канальный полевой транзистор (MOSFET), одинарный
Напряжение сток–исток Vdss: 500 V
Непрерывный ток стока Id: 14.1 A
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 98 W (зависит от условий теплоотвода)
Сопротивление открытого канала RDS(on): 380 mΩ @ VGS = 13 V
Пороговое напряжение Vgs(th): около 3 V
Полный заряд затвора Qg: 24.8 nC @ VGS = 10 V
Входная ёмкость Ciss: 584 pF
Выходная ёмкость Coss: 40 pF
Диапазон рабочих температур перехода: от -55 ℃ до +150 ℃
Корпус: PG-TO-252 (DPAK)

Особенности:
Напряжение 500 V подходит для многих автономных источников питания и высоковольтных шин постоянного тока, включая коммутацию напряжения после выпрямления 400VAC.
Сопротивление открытого канала 380 mΩ обеспечивает баланс потерь проводимости и переключения в диапазоне мощности от десятков до сотен ватт.
Заряд затвора 24.8 nC снижает требования к энергии управления и нагреву драйвера.
Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа и автоматизированной сборки; тепло можно отводить через медные площадки и радиатор на печатной плате.

Типичные области применения: автономные импульсные источники питания (SMPS), в том числе обратноходовые, прямоходовые и полумостовые; повышающие каскады PFC средней мощности; драйверы LED и промышленные источники питания освещения; инверторы и преобразователи частоты малой мощности; коммутационные и защитные цепи UPS и систем резервного питания.

Рекомендации по управлению и переключению:
Оптимальный диапазон VGS — 10–13 V; рекомендуемое напряжение управления затвором — 10–12 V.
Для подавления звона и управления dv/dt можно последовательно включить резистор затвора 10–47 Ω; в высокочастотных схемах учитывайте влияние сопротивления на потери переключения.
Заряд Qg = 24.8 nC требует достаточного тока драйвера; для быстрого переключения драйверу может потребоваться импульсный ток от сотен миллиампер до нескольких ампер.

Теплоотвод и разводка платы:
Для корпуса DPAK (PG-TO-252) используйте большую площадь меди и несколько переходных отверстий для передачи тепла на обратную сторону платы или к радиатору.
Сделайте силовые цепи истока и стока короткими и широкими, чтобы уменьшить паразитные индуктивность и сопротивление, потери переключения и EMI.
При высокой мощности используйте металлический радиатор или теплопроводящий клей, чтобы снизить тепловое сопротивление переход–корпус и переход–плата.
Максимальная рассеиваемая мощность зависит от охлаждения и температуры перехода; предусмотрите запас и учитывайте зависимости температуры перехода и Pd, указанные в datasheet.

Надёжность и эксплуатация:
Предельная температура перехода составляет +150 ℃; длительная работа при высокой температуре ускоряет деградацию.
При высоком dv/dt и повторяющихся импульсных нагрузках оцените переходные процессы и напряжения; для защиты от обратного потока энергии и перенапряжения могут потребоваться снабберные цепи RCD, RC или ограничительный диод.
Соблюдайте требования JEDEC к упаковке и температуре пайки оплавлением; меры по сушке при воздействии влаги выполняйте согласно рекомендациям производителя.

При выборе учитывайте Vdss, RDS(on), Id, Qg, топологию преобразователя, частоту, целевой КПД и тепловой режим. Для меньшего сопротивления открытого канала или большего допустимого тока выбирайте модель с соответствующими параметрами и подходящим тепловым исполнением. При повышенных требованиях к поглощению энергии переключения или стойкости к импульсам сравните параметры EAS и avalanche и предусмотрите защиту.
Для уточнения электрических и тепловых параметров, включая Rth,j‑c и кривые EAS, используйте datasheet Infineon.