Jingdao Microelectronics 1SMA4740A

1SMA4740A — отдельный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 10V и диапазоном 9.5V～10.5V для стабилизации и формирования опорного напряжения в схемах малой и средней мощности. Корпус SMA; максимальная рассеиваемая мощность 1W; рабочий диапазон температуры перехода -55℃ ～ +150℃.

Основные параметры: номинальное напряжение стабилизации (Vz): 10V; диапазон напряжения стабилизации: 9.5V ～ 10.5V; обратный ток Ir: 10μA @ 7V; динамический импеданс Zzt: 7Ω; максимальная рассеиваемая мощность Pd: 1W при заданных условиях теплоотвода; рабочий диапазон температуры перехода: -55℃ ～ +150℃; корпус SMA для поверхностного монтажа.

Стабилитрон подходит для формирования напряжения около 10V. Динамический импеданс 7Ω вызывает изменение напряжения при изменении тока. Обратный ток при 7V составляет 10μA; с увеличением напряжения и температуры утечка возрастает.

В шунтирующей схеме следует использовать последовательный токоограничительный резистор: R = (Vs - Vz) / Itotal, где Itotal = ток диода + ток нагрузки. Например, при Vs = 12V, выходном напряжении около 10V и Iz = 20mA, R = 100Ω, мощность резистора P_R = 0.04W. Теоретический максимальный ток стабилизации при Pd = 1W составляет Iz_max ≈ Pd / Vz = 0.1A (100mA). Для длительной работы рекомендуется существенно меньший ток, например ≤ 30–50mA, в зависимости от условий теплоотвода. Изменение тока на 20mA при Zzt = 7Ω вызывает изменение напряжения примерно на 0.14V.

Теплоотвод корпуса SMA зависит от площади медных участков PCB и конструкции контактных площадок. Для улучшения теплоотвода можно увеличить площадь меди под компонентом и вокруг него, а также подключить внутренние медные слои через тепловые переходные отверстия. При высокой температуре окружающей среды требуется снизить рассеиваемую мощность. Для повышения срока службы рекомендуется удерживать рассеиваемую мощность ниже 50% от номинальной Pd.

При выборе следует учитывать точность стабилизации, рабочий ток, Pd, температуру и условия теплоотвода. В прецизионных схемах подходит специализированная микросхема источника опорного напряжения с низким температурным дрейфом. В схемах импульсной защиты следует проверить допустимую импульсную мощность и характеристики пробоя.

Типовые схемы применения: шунтирующая стабилизация напряжения около 10V для маломощных датчиков и аналоговых каскадов; защита от перенапряжения при подключении диода параллельно линии питания с соответствующим ограничением тока.

Для оценки тепловых и электрических характеристик доступны данные о кривых, тепловом сопротивлении, корпусе и требованиях к пайке.