JSMSEMI S9013

S9013 — универсальный маломощный NPN-транзистор для низковольтных применений со средним током, корпус TO-92-3.

Основные параметры: коэффициент передачи постоянного тока hFE = 144 (при 50mA, VCE=1V); максимальный ток коллектора Ic = 500mA; напряжение пробоя коллектор–эмиттер VCEo = 25V; рассеиваемая мощность Pd = 625mW; частота перехода fT = 150MHz; ток отсечки коллектора Icbo = 100nA; напряжение пробоя база–эмиттер Vebo = 5V; напряжение насыщения VCE(sat) ≈ 600mV (при 500mA, 50mA). Диапазон рабочих температур: -55℃ ~ +150℃.

Подходит для схем с напряжением ниже 12V или для систем 25V с защитой. Максимальный Ic составляет 500mA; длительный непрерывный ток ограничен теплоотводом корпуса и Pd=625mW. Частота fT=150MHz обеспечивает высокочастотную характеристику при усилении малых сигналов. Не превышайте обратное напряжение база–эмиттер 5V.

Типовые применения: маломощные ключи и управление реле с ограничением тока и защитной цепью, предварительные усилители, усиление сигналов, преобразование уровней, увеличение выходного тока MCU, управление индикаторами, небольшими двигателями и реле, макетные и учебные схемы.

Корпус TO-92 имеет ограниченный теплоотвод. Рассчитывайте фактическую мощность и оставляйте тепловой запас; при приближении к Pd снижайте нагрузку или улучшайте теплоотвод. Для низкого VCE(sat) задайте режим насыщения базы с принудительным коэффициентом Fb≈10. Например, при Ic=100mA и управляющем напряжении 5V сопротивление Rb можно выбрать примерно 430Ω.

При управлении реле и катушками подключайте обратный диод или цепь подавления выбросов. Соблюдайте допустимые условия пайки и не превышайте обратное напряжение база–эмиттер 5V. Длительная работа при высокой температуре ускоряет старение компонента; предусмотрите снижение электрической нагрузки и дополнительный теплоотвод. Для длительной работы с большим током, повышенной мощностью или меньшим напряжением насыщения выберите более мощный корпус или транзистор. При необходимости более высокой частоты используйте компонент с большим fT.