JSMSEMI JSM6288Q

JSM6288Q — трехфазный драйвер верхнего и нижнего плеча для силовых MOSFET. Диапазон рабочего напряжения: 8V~20V. Поддерживает топологии верхнего и нижнего плеча, а также трехфазные схемы; подходит для систем 12V/24V. Встроенная защита от пониженного напряжения (UVP), ток покоя Iq = 230µA. Диапазон рабочих температур: -40℃ до +125℃. Корпус QFN-24 с тепловой площадкой.

Основные характеристики
Конфигурация драйвера: верхнее и нижнее плечо, трехфазное управление.
Ток источника IOH = 1.5A, ток стока IOL = 1.8A.
Типовое время нарастания tr ≈ 30ns, время спада tf ≈ 30ns.
Рабочее напряжение: 8V ~ 20V.

Применение
Управление трехфазными бесщеточными двигателями постоянного тока (BLDC) и сервоприводами; многофазные синхронные понижающие преобразователи (multi-phase buck); автомобильные системы управления питанием, бортовые преобразователи DC-DC и модули распределения питания; мощные драйверы светодиодов постоянного тока и промышленные силовые коммутационные модули.

Особенности проектирования и монтажа
Ток драйвера определяет dV/dt согласно соотношению dV/dt = Idrive / Cg. Например, при эквивалентной емкости затвора 10nF ток драйвера 1.5A обеспечивает переключение 10V примерно за 66.7ns; при проектировании следует учитывать Qg MOSFET.
Для драйвера верхнего плеча требуется bootstrap-цепь с конденсатором и быстрым диодом, обеспечивающая стабильное питание Vboot при рабочем коэффициенте заполнения.
Размещайте развязывающие конденсаторы Vcc, Vboot и земли питания рядом с выводами. Отделяйте силовой обратный ток (исток MOSFET, возвратный дроссель) от сигнальной земли; используйте одноточечное или звездное заземление для снижения шумовой связи.
Для управления звоном и потерями при переключении можно установить последовательно с затвором резистор Rg; в системах с требованиями по EMI применяйте демпфирующую RC- или RCD-цепь.

Тепловой режим и надежность
Корпус QFN-24 имеет тепловую площадку. Предусмотрите достаточную площадь медного полигона и переходные отверстия под корпусом PCB для отвода тепла во внутренние слои платы или на радиатор. При высоком коэффициенте заполнения и высокой частоте переключения следите, чтобы температура кристалла не превышала допустимый диапазон; при необходимости увеличьте площадь теплоотвода или используйте внешний радиатор.

Выбор компонента
Компактный корпус QFN-24 подходит для силовых модулей с ограниченным пространством. При выборе проверьте соответствие суммарного заряда затвора Qg управляемого MOSFET и напряжения отключения, а также достаточность способности источника/стока 1.5A/1.8A для требуемой скорости переключения и уровня потерь.