KUU DMG1012T-7

DMG1012T-7 — описание продукта

DMG1012T-7 — одноканальный MOSFET с N-каналом и индуцированным каналом, выполненный в компактном корпусе SOT-523. Предназначен для низковольтных применений с небольшим током. Обладает низким сопротивлением открытого канала и малыми потерями, подходит для использования в качестве ключа или элемента линейного управления в портативных устройствах и прецизионных схемах управления питанием. Рабочий диапазон температур составляет -55℃ до +150℃.

Основные параметры:
Тип: N-канальный MOSFET (1 канал)
Напряжение сток–исток Vdss: 20 V
Непрерывный ток стока Id: 500 mA
Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.7 Ω (700 mΩ) при Vgs = 4.5 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 150 mW
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 0.9 V (900 mV)
Полный заряд затвора Qg: 750 pC
Максимальное номинальное напряжение затвора Vgs: ±6 V
Рабочая температура: -55 ℃ ～ +150 ℃
Корпус: SOT-523

Особенности:
Компактный корпус SOT-523 подходит для высокоплотной разводки PCB и устройств с ограниченными габаритами.
Допустимое напряжение 20 V подходит для коммутации нагрузки и изоляции сигналов в системах с напряжением 5 V и ниже.
Сопротивление открытого канала 0.7 Ω обеспечивает приемлемые характеристики при небольшом токе, в диапазоне сотен миллиампер.
Рабочая температура от -55 ℃ до +150 ℃ подходит для промышленных применений.
Пороговое напряжение около 0.9 V; при управлении затвором напряжением 4.5 V достигается номинальное значение RDS(on).

Типовые области применения:
Переключение питания и нагрузки в портативных устройствах, включая носимые устройства, модули Bluetooth и портативные датчики.
Переключение сигналов и защита от обратной полярности в низковольтных аналоговых и цифровых схемах.
Управление питанием и отключение линий питания с помощью микроконтроллера при низкой частоте переключения.
Замена механических реле и применение в качестве маломощного ключа для экономии места и повышения быстродействия.
Линейное регулирование и ограничение тока с учётом ограничений по мощности.

Рекомендации по корпусу и отводу тепла:
Корпус SOT-523 имеет повышенное тепловое сопротивление, максимальная рассеиваемая мощность Pd составляет 150 mW. При высоком токе или повышенном RDS(on) учитывайте рост температуры перехода.
Для отвода тепла увеличьте площадь меди вокруг контактных площадок MOSFET; при необходимости соедините её с медью внутренних слоёв многослойной платы.
Соблюдайте допустимые значения Pd и Id и избегайте длительной работы вблизи предельной рассеиваемой мощности.
Заряд затвора Qg составляет 750 pC. При частом переключении или высокой частоте это увеличивает энергопотребление драйвера и коммутационные потери; компонент подходит для низкочастотного переключения или линейного режима, либо требует драйвера затвора с достаточной нагрузочной способностью.

Максимальное абсолютное значение напряжения затвора не должно превышать ±6 V.
При работе вблизи максимального тока 500 mA или мощности 150 mW оценивайте температуру перехода и при необходимости ограничивайте коэффициент заполнения или улучшайте отвод тепла.
При проектировании драйвера учитывайте требования по току, связанные с Qg, чтобы избежать снижения скорости переключения и длительного пребывания компонента в переходном режиме.
На этапе разработки прототипа проведите тепловое моделирование и измерения для проверки надёжности корпуса и разводки PCB.