KEC 2N5551S-RTK/P

2N5551S-RTK/P — биполярный транзистор NPN в корпусе SOT-23 для коммутации и усиления сигналов. Производитель — KEC.

Основные характеристики
Тип: NPN
Максимальный ток коллектора (Ic): 600 mA
Максимальное напряжение коллектор—эмиттер (Vce): 160 V
Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 350 mW
Коэффициент передачи тока (hFE): 80 при токе коллектора 10 mA
Корпус: SOT-23
Рабочая температура: -55°C до +150°C

Области применения
Транзистор применяют в коммутационных схемах для управления реле, светодиодами и другими нагрузками, а также в аудиоусилителях и модулях обработки сигналов датчиков. Максимальное напряжение коллектор—эмиттер 160 V подходит для некоторых высоковольтных схем питания.

Рекомендации по проектированию
При проектировании учитывайте тепловой режим при максимальной рассеиваемой мощности 350 mW. Для задания рабочего режима применяйте подходящую цепь смещения; при необходимости предусмотрите защиту от перегрузки по току и перенапряжения. В усилительных схемах выбирайте параметры с учетом характеристик источника сигнала и нагрузки.

Примеры применения
В схеме управления светодиодом сигнал GPIO микроконтроллера может управлять током базы транзистора. В усилителе с общим эмиттером требуемое усиление задают подбором резистора базы и нагрузки коллектора.