LRC LBSS139LT1G

Обзор LBSS139LT1G

Краткое описание
LBSS139LT1G — N-канальный MOSFET производства LRC в компактном корпусе SOT-23. Предназначен для маломощной коммутации и усиления в электронных устройствах, где важны низкие потери и компактные размеры.

Основные параметры
Рассеиваемая мощность (Pd): 225 mW.
Обратная проходная ёмкость (Crss@Vds): 2.9 pF @ 25 V.
Сопротивление во включённом состоянии (RDS(on)@Vgs, Id): 5.6 Ω @ 2.75 V, 200 mA.
Диапазон рабочих температур: -55℃ ~ +150℃.
Напряжение сток-исток (Vdss): 50 V.
Тип: 1 N-канальный.
Входная ёмкость (Ciss@Vds): 22.8 pF @ 25 V.
Непрерывный ток стока (Id): 200 mA.
Пороговое напряжение затвор-исток (Vgs(th)@Id): 500 mV @ 1.0 mA.

Области применения
Низкомощные ключевые схемы, например драйверы LED и переключатели датчиков.
Усилительные схемы для усиления малых сигналов и сигналов средней мощности.
Простые преобразователи DC-DC.
Автомобильная электроника благодаря широкому диапазону рабочих температур.
Низкомощные схемы управления и коммутации в потребительской электронике, например в телефонах и планшетах.

Особенности
Компактный корпус SOT-23 для конструкций с ограниченным пространством.
Низкое сопротивление во включённом состоянии 5.6Ω снижает потери энергии.
Диапазон рабочих температур от -55℃ до +150℃.
Низкие входная и обратная проходная ёмкости подходят для высокочастотных применений.

Рекомендации по применению
Тепловой режим: при номинальной мощности 225mW следует учитывать отвод тепла при высокой частоте или нагрузке.
Управление: пороговое напряжение составляет 500mV; схема управления должна обеспечивать достаточное напряжение затвор-исток для полного открытия MOSFET.
Защита от перегрузки по току: следует предусмотреть соответствующие меры защиты.