LRC LSI1012LT1G

Обзор продукта LSI1012LT1G

Описание
LSI1012LT1G — одиночный N-канальный MOSFET с индуцированным каналом в компактном корпусе SOT-23, предназначенный для низковольтных маломощных схем коммутации и управления питанием. Максимальное напряжение составляет 20V, непрерывный ток стока — до 500mA, диапазон рабочих температур — от -55℃ до +150℃. Подходит для коммутации и защиты в портативной аппаратуре и промышленной электронике.

Основные электрические параметры
Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
Непрерывный ток стока (Id): 500mA
Сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)): 1.25Ω при Vgs=1.8V, Id=350mA
Пороговое напряжение (Vgs(th)): 0.9V при Ig=250µA
Заряд затвора (Qg): 750pC (измерено при 4.5V и 10V)
Рассеиваемая мощность (Pd): 225mW
Тип: одиночный N-канальный MOSFET, корпус SOT-23

Корпус и тепловые характеристики
Поверхностный монтаж в корпусе SOT-23 подходит для плотной компоновки PCB. Рассеиваемая мощность ограничена (Pd=225mW). При высокой мощности или длительной работе с большим током для снижения температуры перехода предусмотрите отвод тепла через медные участки PCB, увеличение площади контактных площадок или параллельное включение компонентов. Широкий диапазон рабочих температур обеспечивает адаптивность; температура перехода должна оставаться в пределах максимально допустимого значения.

Типичные области применения
Коммутация низковольтных источников питания и переключение нагрузки, например управление питанием портативных устройств и батарей.
Схемы управления малым током и защиты, включая защиту от обратной полярности и маломощные схемы сброса.
Коммутационный элемент с логическим управлением в системах с логическими уровнями от 1.8V до 5V; следует учитывать коммутационные потери и тепловой режим.
Схемы низкочастотных импульсов и статической коммутации, где требования к скорости переключения невысоки.

Рекомендации по применению
Устройство рассчитано на низкое напряжение и малую мощность. Относительно высокое RDS(on) и Qg могут увеличивать коммутационные потери и энергозатраты на управление при высокой частоте переключения; оцените возможности драйвера и тепловой бюджет.
Для улучшения теплоотвода разместите увеличенную площадь меди PCB рядом с компонентом; при необходимости используйте тепловые переходные отверстия или радиатор.
Типовое значение сопротивления во включенном состоянии указано при Vgs=1.8V. Подходит для прямого управления логическими уровнями 1.8V/3.3V; при большем токе рекомендуется MOSFET с меньшим RDS(on).
Рассчитайте допустимые средний и импульсный токи с учетом максимальной температуры перехода и предельной рассеиваемой мощности. Продолжительная работа в предельных режимах сокращает срок службы компонента.