Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
LRC LESD11D5.0CBT5G
Configuration
1 options
Configuration
26+
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
19
характеристик
Основная информация
- Название товара
- LRC LESD11D5.0CBT5G
- Тип
- DFN0603-DL
- Минимальная упаковка
- 15000 未知
Технические параметры
- Упаковка
- Неизвестно
- Бренд
- LRC
- Модель
- LESD11D5.0CBT5G
- Шаг
- 1
- Корпус
- DFN0603-DL
- Тип
- ESD
- Категория
- Защита от электростатики и импульсных перенапряжений (TVS/ESD)
- Вес
- 0.007g
- Минимальный заказ
- 1
- Емкость перехода (Cj)
- 25pF
- Артикул
- BM0257399574
- Напряжение фиксации
- 8.4V；9.5V
- Обратный ток (Ir)
- 100nA
- Напряжение пробоя (VBR)
- 8V
- Минимальная упаковочная единица
- Неизвестно
- Минимальное количество в упаковке
- 15000
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
Обзор LESD11D5.0CBT5G
LESD11D5.0CBT5G — малогабаритный диод защиты от электростатических разрядов с низкой емкостью в корпусе DFN0603-DL. Рабочее обратное напряжение Vrwm составляет 5V. Диод характеризуется низким током утечки и быстрым ограничением напряжения, обеспечивая защиту чувствительных интерфейсов от электростатических разрядов и переходных перенапряжений. Предназначен для защиты интерфейсов мобильных устройств и плат с высокой плотностью монтажа.
Основные электрические параметры
Обратное рабочее напряжение Vrwm: 5V
Напряжение пробоя Vbr: 8V (типовое)
Напряжение ограничения Vc: 9.5V (типовое)
Пиковый импульсный ток Ipp: 10A
Пиковая импульсная мощность Ppp: 85W (типовое значение при стандартных условиях испытания)
Обратный ток Ir: 100nA (при Vrwm)
Емкость перехода Cj: 25pF
Эти параметры позволяют выдерживать импульсные перенапряжения при низкой емкости перехода и токе утечки. Диод подходит для защиты сигнальных линий, где требуется высокая скорость срабатывания.
Особенности
Компактный корпус DFN0603 подходит для монтажа на платах с высокой плотностью компонентов.
Низкая емкость перехода (25pF) снижает влияние на целостность сигнала; подходит для защиты линий данных и управления.
Низкий ток утечки (100nA) подходит для энергоэффективных схем и высокоомных цепей.
Напряжение ограничения 9.5V помогает ограничивать переходные импульсы.
Пиковая импульсная способность: Ipp 10A, Ppp 85W.
Типичные области применения
Защита интерфейсов мобильных телефонов и планшетов, включая разъемы зарядки и наушников.
Защита внешних интерфейсов USB, HDMI и MIPI с учетом требуемой скорости передачи и емкости.
Подавление переходных перенапряжений на сигнальных и силовых линиях устройств IoT и носимой электроники.
Низковольтные схемы промышленной электроники и измерительных приборов, требующие защиты от ESD и импульсных перенапряжений.
Рекомендации по применению
Размещайте LESD11D5.0CBT5G рядом с защищаемым интерфейсом и как можно ближе к пути заземления, чтобы сократить площадь контура сигнала и улучшить ограничение напряжения.
При использовании на высокоскоростных линиях оцените влияние емкости перехода на глазковую диаграмму и временные параметры. Значение 25pF подходит для низко- и среднескоростных линий; для высокоскоростных дифференциальных сигналов выбирайте компонент с меньшей емкостью по результатам испытаний.
При пайке соблюдайте требования к оплавлению для корпуса DFN и контролируйте температурный профиль.
Корпус и надежность
Компактный бессвинцовый корпус DFN0603-DL подходит для автоматизированного монтажа и пайки оплавлением. Для определения температурного диапазона, профиля пайки и условий испытаний на надежность используйте подробную спецификацию.
Модель: LESD11D5.0CBT5G
Корпус: DFN0603-DL
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
STM32F103C6T6A электронная Микросхема Электронный компонент
- Модель
- STM32F103C6T6A
- Корпус
