LRC LMUN5213T1G

LMUN5213T1G — описание продукта

LMUN5213T1G — предварительно смещенный цифровой NPN-транзистор в корпусе SC-70. Подходит для непосредственного управления нагрузками малого тока от логических цепей и для использования в качестве буферного ключа. Встроенные компоненты упрощают маломощные коммутационные схемы.

Основные характеристики:
Тип транзистора: NPN, с предварительным смещением, цифровой
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vceo): 50 V
Максимальный ток коллектора (Ic): 100 mA
Коэффициент передачи постоянного тока (hFE): около 80 (Ic=10 mA, Vce=10 V)
Входное сопротивление (встроенное): 47 kΩ
Отношение сопротивлений: 1
Рассеиваемая мощность (Pd): 202 mW (зависит от корпуса и условий окружающей среды)
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SC-70
Количество в упаковке: 1

Встроенный резистор 47 kΩ позволяет управлять транзистором непосредственно логическими уровнями, например 3.3 V / 5 V, без внешнего резистора ограничения тока базы. При входном напряжении 5 V ток базы составляет около (5−0.7)/47k ≈ 0.09 mA; при hFE≈80 расчетный ток коллектора достигает ≈7 mA в линейном режиме.

Для работы в режиме насыщения с низким VCE(sat) требуется больший ток базы. Из-за встроенного резистора с высоким сопротивлением транзистор подходит для нагрузок на несколько mA, например светодиодов и входных каскадов управления маломощными реле. Максимальная рассеиваемая мощность составляет около 202 mW; соблюдайте условие VCE×Ic ≤ Pd и учитывайте тепловые условия. При Ic=20 mA теоретическое среднее значение VCE составляет около 10 V; в реальной схеме следует оставить запас с учетом импульсного режима и охлаждения.

Типовые области применения: буферизация логических сигналов и инвертирующее управление от выводов IO микроконтроллера; управление светодиодами с токоограничивающим резистором; управление малосигнальными реле или входными каскадами оптопар; защита сигнальных интерфейсов и простое преобразование логических уровней; портативная электроника и узлы датчиков с ограниченным пространством.

Корпус SC-70 подходит для автоматизированного монтажа и компактных печатных плат. Расположение выводов базы, коллектора и эмиттера следует сверять с технической документацией компонента.

Для нагрузок с током управления в десятки миллиампер и выше или повышенной рассеиваемой мощностью используйте транзистор в корпусе большего размера либо внешний драйвер. В схемах, где требуется гарантированное насыщение с низким VCEsat, учитывайте ограничение тока базы встроенным резистором. При высокой температуре, повышенном напряжении или длительной работе оцените тепловой режим и предусмотрите запас по мощности.