LRC LBSS4350SY3T1G

LBSS4350SY3T1G — обзор продукта

1. Описание
LBSS4350SY3T1G — маломощный NPN-биполярный транзистор, рассчитанный на высокий ток. В корпусе SOT-89 обеспечивает максимальный ток коллектора 3A и напряжение пробоя коллектор-эмиттер 50V. Подходит для типовых задач коммутации, управления и усиления, сочетая скорость переключения с усилительными характеристиками.

2. Основные параметры
Тип транзистора: NPN
Максимальный ток коллектора Ic: 3A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 50V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 550mW (SOT-89)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 200 (условия измерения: Ic=100mA, Vce≈2V)
Граничная частота fT: 148MHz
Ток отсечки коллектора Icbo: 1µA (типовое значение)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): ≈500mV (условия: 2A / 100mA, см. спецификацию)
Напряжение пробоя база-эмиттер Vebo: 6V
Диапазон рабочей температуры: -55℃ ～ +150℃
Корпус: SOT-89

3. Особенности
Высокий ток: ток коллектора до 3A в компактном корпусе подходит для коммутации и управления нагрузками малого и среднего тока.
Хорошее усиление: hFE≈200 при 100mA позволяет использовать транзистор в качестве входного каскада ключа или линейного усилителя с меньшим током управления базы.
Высокочастотные свойства: fT=148MHz подходит для широкополосного усиления и быстродействующих каскадов управления.
Компактный корпус: SOT-89 упрощает компоновку платы и подходит для устройств с ограниченным пространством.

4. Типовые области применения
Низковольтная коммутация постоянного тока и управление нагрузками: реле, драйверы реле, двигатели малой и средней мощности.
Линейное усиление и предварительные усилители: входные аудиокаскады, усиление сигналов.
Управление питанием и стабилизаторами: усилитель ошибки или ключевой элемент.
Усиление промежуточной частоты и буферное управление в коммуникационном оборудовании с учётом ограничений по мощности и теплоотводу корпуса.

5. Корпус и выводы
Компактный пластиковый корпус SOT-89 предназначен для поверхностного монтажа. Типовая распиновка: 1=Base, 2=Collector (широкий вывод / теплоотвод), 3=Emitter. Маркировка корпуса может отличаться; перед применением сверьтесь со спецификацией и чертежом корпуса. Максимальная рассеиваемая мощность Pd составляет 550mW; для теплоотвода используйте увеличенную площадь меди или тепловые переходные отверстия.

6. Тепловой режим и применение
Учитывайте мощность и температуру перехода: при длительной работе с высоким током проверяйте рост температуры перехода и выполняйте снижение допустимой мощности.
Для теплоотвода платы разместите достаточно меди вокруг площадки коллектора; при необходимости отводите тепло через многослойную плату и переходные отверстия.
В ключевых схемах увеличение тока базы помогает снизить VCE(sat). Не превышайте максимальный ток базы; конкретное значение IB выбирайте по спецификации.
Напряжение Vebo составляет 6V. Поддерживайте напряжение между базой и эмиттером в безопасном диапазоне, чтобы избежать обратного пробоя.

7. Выбор и замена
LBSS4350SY3T1G подходит для задач, где важны компактность, стоимость и умеренный ток. Для большей мощности или меньшего напряжения насыщения рассмотрите корпус большего размера или прибор более высокого класса мощности. Для высокочастотных задач подойдёт транзистор с более высоким fT.

8. Итоговые характеристики
В корпусе SOT-89 транзистор обеспечивает ток коллектора 3A, напряжение 50V и высокий коэффициент усиления по постоянному току. При проектировании учитывайте теплоотвод и управление базой. Подробные предельные значения, типовые характеристики и размеры корпуса приведены в полной спецификации производителя.