LRC L2N7002KWT1G

Обзор L2N7002KWT1G

Основные параметры

L2N7002KWT1G — одиночный N-канальный MOSFET с индуцированным каналом в корпусе SC-70.

- Напряжение сток–исток Vdss: 60 V.
- Непрерывный ток стока Id: 380 mA.
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 2.7 Ω при Vgs = 5 V.
- Рассеиваемая мощность Pd: 300 mW.
- Пороговое напряжение Vgs(th): 1.0 V при Id=250 µA.
- Входная ёмкость Ciss: 34 pF при 25 V.
- Ёмкость обратной передачи Crss: 2.2 pF при 25 V.
- Рабочий диапазон температур: -55 ℃ до +150 ℃.
- Тип: N-канальный, одиночный прибор, корпус SC-70.

Компактный корпус и ёмкости Ciss 34 pF и Crss 2.2 pF подходят для высокоскоростного переключения и плат с ограниченным пространством. При Vgs = 5 V сопротивление RDS(on) составляет 2.7 Ω. При проектировании следует учитывать предел рассеиваемой мощности 300 mW.

Типовые применения: преобразование логических уровней, коммутация сигналов и буферизация интерфейсов SPI, I2C и GPIO; управление малым током; схемы защиты и изоляции; портативная электроника, сенсорные модули и периферийные интерфейсы Bluetooth/MCU.

Корпус SC-70 предназначен для поверхностного монтажа. При проектировании следует учитывать расстояние между выводами и предусмотреть достаточную площадь контактных площадок. Для снижения сопротивления открытого канала или увеличения тока можно рассмотреть повышение Vgs с учётом предельно допустимых значений и рассеиваемой мощности.

При непрерывной работе необходимо учитывать температуру окружающей среды и теплоотвод платы, чтобы температура перехода оставалась в допустимых пределах. Для снижения помех при высокочастотном переключении применяют резистор или RC-цепь у затвора, плоскость земли и короткие токовые петли.

Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃. При выборе следует учитывать пиковый ток, коэффициент заполнения и бюджет мощности.