LRC S-LN2308ELT1G

Обзор S-LN2308ELT1G

Основные параметры
S-LN2308ELT1G — N-канальный MOSFET с обогащённым каналом в корпусе SOT-23 для коммутации и защиты в цепях средней и малой мощности.
Напряжение сток–исток Vdss: 60 V
Непрерывный ток стока Id: 2.6 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 100 mΩ при Vgs=10 V, Id=2 A
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 900 mW (зависит от условий окружающей среды и PCB)
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V
Заряд затвора Qg: 3.3 nC при Vgs=30 V
Входная ёмкость Ciss: 312 pF при Vds=30 V
Ёмкость обратной передачи Crss: 16 pF при Vds=30 V
Рабочий температурный диапазон: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-23

Особенности
Допустимое напряжение 60 V позволяет использовать прибор в коммутационных схемах с более высоким напряжением шины. Сопротивление открытого канала 100 mΩ при управлении напряжением 10 V снижает потери проводимости при малой нагрузке. Значения Qg=3.3 nC и Ciss=312 pF указывают на умеренную ёмкость затвора, позволяющую сочетать энергозатраты на управление и скорость переключения при использовании компактного драйвера или MCU. Корпус SOT-23 занимает мало места и подходит для поверхностного монтажа.

Типовые применения
Преобразователи DC-DC малой мощности, понижающие и повышающие ключи
Переключатели нагрузки, защита от переполюсовки и схемы выбора источника питания
Приводы малых двигателей, реле и светодиодов (с учётом ограничения пускового тока)
Управление питанием аккумуляторов и портативных устройств

Корпус и теплоотвод
Корпус SOT-23 имеет высокое тепловое сопротивление; значение Pd=900 mW относится к идеальным условиям теплоотвода. Для снижения температуры кристалла следует увеличить площадь медных проводников PCB и подключить их к тепловому слою. При длительной работе с высоким током требуется дополнительное снижение номинальных значений. При высокой температуре окружающей среды мощность и ток следует снижать согласно тепловым характеристикам производителя.

Рекомендации по применению
Vgs(th)=2.5 V — это напряжение начала открытия канала. При управлении логическим напряжением, например 3.3 V, следует проверить, обеспечивает ли RDS(on) требуемый уровень потерь в системе.
Для индуктивной нагрузки рекомендуется предусмотреть в коммутационной цепи путь свободного тока или внешний диод. Следует учитывать эффект Миллера, связанный с Crss, чтобы избежать ложного включения и звона при переключении.
Небольшой резистор 10–100 Ω последовательно с затвором помогает подавлять колебания и ограничивать импульсный ток. При необходимости для подавления выбросов напряжения можно использовать TVS или RC-цепь.
Непрерывный и импульсный токи должны оставаться в безопасных пределах; при высокой температуре следует учитывать тепловое снижение допустимых параметров.

Выбор и замена
Прибор подходит для коммутации средней и малой мощности с напряжением до 60 V. Для меньшего RDS(on) или большего тока следует выбрать корпус большего размера либо специализированный силовой MOSFET. Для управления логическим уровнем с низким RDS(on) при напряжении ниже 4.5 V следует выбирать модели с характеристикой «логический затвор». При выборе следует сравнивать зависимости RDS(on) от Vgs, тепловое сопротивление и параметры потерь при переключении.