LRC L2SC2412KQLT1G

L2SC2412KQLT1G — обзор

Универсальный NPN-биполярный транзистор (BJT) в компактном корпусе SOT-23 для маломощной коммутации и усиления малых сигналов. Максимальный ток коллектора составляет 150 mA, напряжение пробоя коллектор-эмиттер — 50 V, частота единичного усиления fT — 180 MHz.

Основные характеристики

Тип транзистора: NPN, одиночный (количество: 1)
Максимальный ток коллектора (Ic): 150 mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 50 V
Рассеиваемая мощность (Pd): 200 mW
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): тип. 120
Частота единичного усиления (fT): 180 MHz
Ток отсечки коллектора (Icbo): 100 nA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): тип. 400 mV
Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo): 7 V
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-23

Электрические и прикладные особенности

Сочетание hFE ≈ 120 и fT=180 MHz подходит для усилителей малых сигналов и предварительных каскадов, включая проектирование полосы пропускания в диапазоне десятков мегагерц. Ток Ic=150 mA и VCE(sat)=400 mV позволяют использовать транзистор как маломощный ключ или для управления реле и аналогичными нагрузками. При длительном включении учитывайте ограничение Pd 200 mW и возможности отвода тепла печатной платой.

Типичные области применения

Усилители малых сигналов: радиочастотные входные каскады, локальные усилители приёмопередатчиков, маломощные аудиопредусилители
Низковольтная коммутация: управление логическими сигналами, реле и небольшими электродвигателями с учётом ограничения мощности
Преобразование частоты и смесительные схемы: усиление промежуточной частоты и каскадирование радиочастотных входных каскадов
Универсальные усилители и буферные каскады, усиление тока и сдвиг уровня
Замена компонентов и оптимизация схем в промышленной и бытовой электронике

Рекомендации по теплоотводу

Корпус SOT-23 имеет ограниченную способность рассеивать тепло. Для увеличения площади отвода разместите медные участки под компонентом и рядом с ним.
При длительной проводимости или высокочастотной работе рассчитайте мощность (P = VCE × IC) и предусмотрите запас. При необходимости ограничьте коэффициент заполнения или добавьте конструкцию для отвода тепла.
Используйте подходящие контактные площадки и короткие выводы для снижения теплового сопротивления и повышения надёжности.

Указания по применению

Не превышайте обратное напряжение база-эмиттер Vebo (7 V), чтобы избежать повреждения перехода база-эмиттер.
При высокой температуре окружающей среды или размещении рядом с силовыми компонентами учитывайте ограничение Pd во избежание теплового отказа.
В ключевых цепях учитывайте броски и переходные токи; для защиты компонента предусмотрите ограничитель тока или демпфирующую цепь.
Перед проектированием сверяйте распиновку и типовые характеристики с актуальной документацией на компонент.