muRata LQG15HS10NG02D

LQG15HS10NG02D — высокочастотный чип-индуктор в корпусе 0402. Номинальная индуктивность 10 nH, допуск ±2%, номинальный постоянный ток 500 mA, сопротивление постоянному току (DCR) 260 mΩ, добротность Q = 8 при 100 MHz, частота собственного резонанса (SRF) 3.4 GHz. Предназначен для высокочастотных схем с ограниченным пространством, фильтров и согласующих цепей.

Основные параметры:
Индуктивность: 10 nH (±2%)
Номинальный ток: 500 mA
DCR: 260 mΩ
Добротность: Q = 8 при 100 MHz
SRF: 3.4 GHz
Корпус: 0402, серия LQG15HS

Допуск ±2% подходит для согласующих цепей, резонансных контуров и фильтров, где важна точность индуктивности. Значение Q = 8 при 100 MHz указывает на умеренную добротность и потери вблизи этой частоты. SRF составляет 3.4 GHz; выше этой частоты компонент перестает вести себя как индуктивность. Вблизи или выше SRF следует учитывать его паразитные емкостные свойства.

При DCR 260 mΩ и токе 500 mA расчетные потери составляют около 0.065 W, а падение напряжения — около 0.13 V. Эти значения следует учитывать при проектировании цепей питания и фильтров.

Типичные применения: радиочастотные согласующие сети и согласование входного/выходного импеданса; высокочастотные фильтры, включая L-, T- и π-образные; подавление EMI и синфазных/дифференциальных помех; настройка импеданса антенной линии и блокировка в цепях смещения; модули мобильной связи, Wi‑Fi, Bluetooth, телевизионные и другие RF-устройства.

Рекомендации по монтажу: используйте контактные площадки для корпуса 0402 и минимизируйте длину дорожек до критических узлов, чтобы снизить паразитные индуктивность и емкость. При токе, близком к номинальному, увеличьте площадь меди вокруг компонента для улучшения теплоотвода. Соблюдайте требования к бессвинцовой пайке оплавлением и избегайте чрезмерного нагрева, механических нагрузок и изгиба платы.

При длительной работе с током 500 mA расчетная мощность потерь составляет P = I²·R = 0.5² × 0.26 ≈ 0.065 W, падение напряжения — около 0.13 V. Для условий высокой температуры или тока оцените запас по току и нагрев; при необходимости выберите корпус большего размера или компонент с меньшим DCR.

Рекомендуется проверить стабильность индуктивности и DCR при температурных циклах и механических нагрузках пайки. В RF-схемах измерьте S-параметры для оценки импеданса, вносимых потерь и потерь на отражение (S11/S21) в целевом диапазоне частот. Учитывайте требования к влагозащите упаковки и условиям хранения.