muRata LQG15HS1N5B02D

LQG15HS1N5B02D — миниатюрный чип-индуктор в корпусе 0402 (примерно 1.0 × 0.5 mm). Номинальная индуктивность 1.5 nH, номинальный постоянный ток 1 A, сопротивление постоянному току (DCR) около 70 mΩ, добротность Q = 8 при 100 MHz, частота собственного резонанса (SRF) около 6 GHz. Подходит для высокочастотных и радиочастотных цепей, фильтров и согласования при ограниченном пространстве.

Основные параметры:
Индуктивность: 1.5 nH
Номинальный ток: 1 A
DCR: около 70 mΩ
Добротность: Q = 8 при 100 MHz
SRF: около 6 GHz
Корпус: 0402

При 100 MHz добротность Q = 8 соответствует умеренному уровню. SRF около 6 GHz: ниже этой частоты компонент может использоваться как индуктивность; вблизи или выше нее возрастает влияние паразитной емкости. Для применения в диапазоне GHz учитывайте реальные кривые импеданса.

Типичные применения: согласование входного и выходного импеданса в RF-цепях, включая мобильные телефоны, Wi‑Fi и Bluetooth; высокочастотное питание смещения (RFC/индуктивность смещения); подавление высокочастотных помех EMI/EMC и фильтрация; ограничительные и развязывающие цепи высокочастотных усилителей; мобильные устройства и беспроводные модули с ограниченным пространством.

При токе 1 A потери I²·R составляют около 0.07 W. При длительной работе при высокой температуре учитывайте нагрев и температурный дрейф. Большой постоянный ток может уменьшать индуктивность, поэтому проверьте ее изменение при фактическом рабочем токе. Для высокочастотного монтажа используйте короткие и широкие дорожки к контактным площадкам и размещайте элементы обходных цепей и заземления с учетом требований стабильности.

Соблюдайте рекомендованный профиль температуры пайки оплавлением. Для работы выше SRF изучите характеристики импеданса и фазы и выполните моделирование резонатора.