muRata LQW15AN7N5G00D

LQW15AN7N5G00D — неэкранированный чип-индуктор в корпусе 0402 с номинальной индуктивностью 7.5 nH и допуском ±2%. Постоянное сопротивление составляет около 130 mΩ, номинальный постоянный ток — 570 mA.

Основные параметры

• Тип: неэкранированный (открытый) чип-индуктор.
• Корпус: 0402, SMD.
• Индуктивность: 7.5 nH ±2%.
• Постоянное сопротивление: ≈130 mΩ.
• Номинальный непрерывный ток: 570 mA.

Низкое постоянное сопротивление снижает потери I²R. При токе 0.57 A расчетные потери составляют около P = I²·R ≈ 0.57²×0.13 ≈ 0.042 W (≈42 mW).

Расчетное реактивное сопротивление на высокой частоте (X_L = 2πfL):
• 100 MHz: X_L ≈ 4.7 Ω.
• 900 MHz: X_L ≈ 42 Ω.
• 2.4 GHz: X_L ≈ 113 Ω.

Неэкранированная конструкция создает магнитное поле рассеяния; размещение следует учитывать для уменьшения влияния на соседние цепи.

Типичные области применения: высокочастотная фильтрация и блокировка, RF-фронтенды, согласование антенн, радиочастотные цепи обхода, подавление EMI, входная фильтрация и цепи обхода DC-DC преобразователей с током не выше номинального, беспроводные модули и платы со смешанными сигналами.

Рекомендации по монтажу и эксплуатации

Используйте рекомендованные размеры контактных площадок и зазоры. Обеспечьте равномерное нанесение паяльной пасты для предотвращения эффекта tombstone. Размещайте неэкранированный индуктор вдали от высокочувствительных аналоговых входов и антенн. Для фильтрации устанавливайте его рядом с фильтруемым сигналом. Делайте дорожки короткими и широкими, чтобы уменьшить дополнительное последовательное сопротивление и паразитную индуктивность.

При пайке оплавлением соблюдайте рекомендованный профиль; типичная пиковая температура — ≤260°C. Не превышайте номинальный ток и избегайте чрезмерно высокой температуры. При проверке схемы измерьте зависимость индуктивности от частоты и тока, частоту собственного резонанса, добротность и нагрев.