MCC BZT52C3V9-TP BZT52C3V9

BZT52C3V9-TP — стабилитрон поверхностного монтажа с номинальным напряжением стабилизации 3.9V и допуском ±5% (фактический диапазон 3.7V～4.1V). Обратный ток утечки Ir: 3μA при 1V. Рассеиваемая мощность Pd: 500mW. В исходных данных также указано значение 200mW; рабочее значение следует сверять с актуальными техническими характеристиками. Динамическое сопротивление Zzt = 90Ω, сопротивление в области перегиба Zzk = 600Ω. Диапазон рабочей температуры перехода: -65℃～+150℃. Корпус SOD-123.

Подходит для источников опорного напряжения в низкоточных источниках питания, ограничения перенапряжения на цифровых интерфейсах и в аналоговых схемах, ограничения напряжения в портативных устройствах и системах управления аккумуляторами, а также для применения в цепях смещения.

При проектировании учитывают допустимую мощность Pd и тепловое сопротивление; при необходимости увеличивают площадь меди на печатной плате. При изменении рабочего тока напряжение стабилизации может существенно меняться из-за динамического сопротивления Zzt = 90Ω. Утечка Ir = 3μA при 1V может влиять на смещение в прецизионных низкоточных схемах.

Компактный корпус SOD-123 имеет маркировку катода в виде кольцевой полосы. Рекомендуется пайка оплавлением с соблюдением предельной температуры перехода и профиля оплавления.

Измерения напряжения стабилизации проводят при заданном испытательном токе. При выборе учитывают температурный дрейф и динамическое сопротивление.