MDD BC817-25

BC817-25 — описание

BC817-25 — универсальный биполярный NPN-транзистор для усиления малых сигналов и коммутации. Выполнен в компактном корпусе SOT-23 и подходит для печатных плат с ограниченным пространством. Максимальный ток коллектора составляет 500 mA при напряжении коллектор-эмиттер до 45 V. Коэффициент передачи тока достигает 160, частота перехода составляет 100 MHz.
Количество: 1 шт.

Основные технические параметры
Тип транзистора: NPN
Ток коллектора (Ic): 500 mA (максимальное номинальное значение)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 45 V
Рассеиваемая мощность (Pd): 300 mW (корпус SOT-23)
Коэффициент передачи постоянного тока (hFE): около 160 (группа BC817-25)
Частота перехода (fT): 100 MHz
Ток отсечки коллектора (Icbo): 100 nA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 700 mV
Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo): 5 V
Рабочая температура: -55 ℃ до +150 ℃
Корпус: SOT-23
Количество: 1 шт.

Электрические характеристики
При hFE около 160 транзистор обеспечивает усиление в диапазоне малых и средних токов. fT = 100 MHz указывает на пригодность для усиления малых сигналов и высокочастотной коммутации. При работе в насыщении VCE(sat) ≈ 700 mV; это падение напряжения следует учитывать при оценке потерь и нагрева. Рассеиваемая мощность Pd составляет 300 mW, поэтому при высоком токе требуется отвод тепла через медные участки PCB или снижение коэффициента заполнения. Низкий Icbo способствует снижению статического потребления и повышению стабильности прецизионных схем.

Корпус и выводы
Корпус: SOT-23, для поверхностного монтажа.
Типовая распиновка (сверьте с технической документацией конкретного компонента):
Вывод 1: Base
Вывод 2: Collector
Вывод 3: Emitter
При проектировании учитывайте схему выводов и размеры корпуса, указанные в технической документации MDD, а также требования к отводу тепла.

Типовые применения
Усиление малых сигналов: предварительные аудиокаскады, усилители сигналов датчиков.
Универсальная коммутация: управление небольшими катушками реле, индикаторами и нагрузками малой мощности.
Преобразование уровней и буферизация логических интерфейсов.
Обработка высокочастотных малых сигналов: усиление в промежуточном диапазоне частот в RF-каскадах и генераторах с учетом ограничений по мощности.
Универсальные усилительные и коммутационные каскады в системах автоматизации и бытовой электронике.

Рекомендации по применению
В корпусе SOT-23 значение Pd составляет 300 mW. При длительной работе с большим током обеспечьте отвод тепла через PCB, ограничьте время проводимости или используйте корпус большего размера.
Для работы в качестве ключа задайте ток базы Ib с учетом принудительного β, например 10～20, чтобы обеспечить насыщение при требуемом Ic и снизить VCE(sat).
Не превышайте максимальное номинальное VCE 45 V. Напряжение пробоя база-эмиттер Vebo составляет 5 V; избегайте чрезмерного обратного напряжения на базе.
При проектировании учитывайте тепловое сопротивление и кривые снижения допустимых параметров из документации.
Проверьте распиновку SOT-23 перед монтажом.

Модель: BC817-25
Корпус: SOT-23
Количество: 1 шт.
Для более высокой мощности или меньшего напряжения насыщения можно выбрать транзистор в корпусе большего размера, например SOT-223 или TO-92, либо специализированный ключевой транзистор. Для большего допустимого напряжения или тока выберите компонент с соответствующими номинальными значениями.