MDD BSS123

BSS123 — описание

BSS123 — одиночный N-канальный MOSFET с обогащенным каналом производства MDD в компактном корпусе SOT-23. Предназначен для высоковольтной коммутации малых токов и управления сигналами. Максимальное напряжение составляет 100V.

Основные электрические параметры:
Напряжение сток–исток (Vdss): 100 V
Непрерывный ток стока (Id): 200 mA
Сопротивление во включенном состоянии RDS(on): 3 Ω @ Vgs = 10 V
Пороговое напряжение Vgs(th): 1.8 V @ ID = 250 µA
Полный заряд затвора Qg: 1.61 nC @ Vgs = 10 V
Входная емкость Ciss: 32 pF
Выходная емкость Coss: 10 pF
Емкость обратной передачи Crss (Crss): 7 pF
Диапазон рабочих температур: -40 ℃ ～ +150 ℃
Рассеиваемая мощность Pd: 350 mW
Корпус: SOT-23 (одиночный N-канальный)

Характеристики:
Обратное напряжение 100V подходит для цепей коммутации и защиты. Компактный корпус SOT-23 подходит для плат с ограниченным пространством. Низкие значения Ciss/Coss/Crss способствуют быстрому переключению и уменьшают паразитную энергию. Полный заряд затвора 1.61 nC снижает энергопотребление драйвера. Широкий диапазон рабочих температур подходит для промышленного применения.

Типовые области применения:
Высоковольтная коммутация малых токов, например в системах управления аккумуляторами, переключении резервного питания и вспомогательных цепях импульсных источников питания
Переключение и изоляция сигналов, промежуточный ключ или драйвер для управления высоковольтной нагрузкой
Измерительные и испытательные приборы с высоковольтной коммутацией и низкой паразитной емкостью
Компактные промышленные и телекоммуникационные платы, рассчитанные на высоковольтные импульсы

Рекомендации по применению и проектированию:
Для достижения указанного RDS(on) требуется Vgs≈10 V. При управлении напряжением 3.3 V или 5 V проверьте потери проводимости; при Vgs 3.3 V сопротивление во включенном состоянии значительно возрастает.
Низкие Ciss/Crss обеспечивают быстрое переключение. Для подавления звона и контроля dv/dt установите подходящий резистор затвора, например 10–100 Ω. При необходимости подключите параллельно стоку цепь RC или TVS для подавления импульсных перенапряжений.
Рассеиваемая мощность корпуса составляет Pd = 350 mW. Для длительной работы или высокой скважности увеличьте площадь меди печатной платы, добавьте тепловую площадку или снизьте средний ток, чтобы контролировать нагрев.
Делайте трассировку затвора короткой и размещайте ее рядом с источником управления. Уменьшайте паразитную индуктивность цепей стока и нагрузки; обеспечьте качественное заземление для снижения помех в контуре.

Корпус SOT-23 подходит для автоматического монтажа и серийного производства. При высоковольтных импульсах или частом переключении учитывайте нагрузку на корпус, конструкцию контактных площадок и влияние процесса пайки оплавлением на долговременную надежность.

BSS123 (MDD, SOT-23) — универсальный N-канальный MOSFET для приложений с высоким напряжением и малым током. Надлежащие схемы управления и тепловой расчет обеспечивают стабильное переключение и защиту в промышленном, телекоммуникационном и измерительном оборудовании.